SIC và GaN là chất bán dẫn bandgap rộng với lợi thế so với silicon, chẳng hạn như điện áp phân hủy cao hơn, tốc độ chuyển đổi nhanh hơn và hiệu quả vượt trội. SIC tốt hơn cho các ứng dụng điện áp cao, năng lượng cao do độ dẫn nhiệt cao hơn của nó, trong khi GaN vượt trội trong các ứng dụng tần số cao nhờ tính di động điện tử vượt trội.
Sự bay hơi của chùm electron là một phương pháp lớp phủ hiệu quả và được sử dụng rộng rãi so với hệ thống sưởi kháng thuốc, làm nóng vật liệu bay hơi bằng chùm electron, khiến nó bốc hơi và ngưng tụ thành một màng mỏng.
Lớp phủ chân không bao gồm hóa hơi vật liệu phim, vận chuyển chân không và tăng trưởng màng mỏng. Theo các phương pháp hóa hơi vật liệu màng khác nhau và quá trình vận chuyển, lớp phủ chân không có thể được chia thành hai loại: PVD và CVD.
Chúng tôi sử dụng cookie để cung cấp cho bạn trải nghiệm duyệt web tốt hơn, phân tích lưu lượng truy cập trang web và cá nhân hóa nội dung. Bằng cách sử dụng trang web này, bạn đồng ý với việc chúng tôi sử dụng cookie.Chính sách bảo mật