Lớp phủ cacbua độc đáo của VeTek Semiconductor cung cấp khả năng bảo vệ vượt trội cho các bộ phận than chì trong Quy trình Epit Wax SiC để xử lý các vật liệu bán dẫn tổng hợp và bán dẫn đòi hỏi khắt khe. Kết quả là tuổi thọ của thành phần than chì được kéo dài, bảo toàn tính năng cân bằng hóa học của phản ứng, ức chế sự di chuyển tạp chất đối với các ứng dụng tăng trưởng tinh thể và epitaxy, dẫn đến tăng năng suất và chất lượng.
Lớp phủ cacbua tantalum (TaC) của chúng tôi bảo vệ các thành phần lò phản ứng và lò phản ứng quan trọng ở nhiệt độ cao (lên đến 2200°C) khỏi amoniac nóng, hydro, hơi silicon và kim loại nóng chảy. VeTek Semiconductor có nhiều khả năng xử lý và đo lường than chì để đáp ứng các yêu cầu tùy chỉnh của bạn, vì vậy chúng tôi có thể cung cấp lớp phủ trả phí hoặc dịch vụ đầy đủ, với đội ngũ kỹ sư chuyên gia của chúng tôi sẵn sàng thiết kế giải pháp phù hợp cho bạn và ứng dụng cụ thể của bạn .
Tinh thể bán dẫn phức hợp
VeTek Semiconductor có thể cung cấp lớp phủ TaC đặc biệt cho nhiều thành phần và vật mang khác nhau. Thông qua quy trình phủ hàng đầu trong ngành của VeTek Semiconductor, lớp phủ TaC có thể đạt được độ tinh khiết cao, độ ổn định ở nhiệt độ cao và khả năng kháng hóa chất cao, nhờ đó cải thiện chất lượng sản phẩm của các lớp tinh thể TaC/GaN) và lớp EPl, đồng thời kéo dài tuổi thọ của các thành phần lò phản ứng quan trọng.
Chất cách nhiệt
Các thành phần tăng trưởng tinh thể SiC, GaN và AlN bao gồm nồi nấu kim loại, giá đỡ hạt giống, bộ làm lệch hướng và bộ lọc. Các bộ phận lắp ráp công nghiệp bao gồm các bộ phận làm nóng bằng điện trở, vòi phun, vòng chắn và thiết bị hàn, các bộ phận lò phản ứng CVD epiticular GaN và SiC bao gồm các chất mang wafer, khay vệ tinh, đầu vòi hoa sen, nắp và bệ, các bộ phận MOCVD.
Mục đích:
● Chất mang wafer LED (Điốt phát sáng)
● Cơ quan tiếp nhận EPI (Quy trình Epitaxy SiC)
So sánh lớp phủ SiC và lớp phủ TaC:
|
|
SiC
|
TaC
|
|
Các tính năng chính
|
Độ tinh khiết cực cao, kháng Plasma tuyệt vời
|
Độ ổn định nhiệt độ cao tuyệt vời (phù hợp quy trình nhiệt độ cao)
|
|
độ tinh khiết
|
>99,9999%
|
>99,9999%
|
|
Mật độ (g/cm3)
|
3.21
|
15
|
|
Độ cứng (kg/mm2)
|
2900-3300
|
6,7-7,2
|
|
Điện trở suất [Ωcm]
|
0,1-15.000
|
<1
|
|
Độ dẫn nhiệt (W/m-K)
|
200-360
|
22
|
|
Hệ số giãn nở nhiệt (10-6/oC)
|
4,5-5
|
6.3
|
|
Ứng dụng
|
Thiết bị bán dẫn Đồ gá gốm (Vòng lấy nét, Đầu vòi hoa sen, Tấm wafer giả)
|
SiC Tăng trưởng tinh thể đơn, Epi, UV LED
|
