CVD TAC Vòng dẫn hướng dẫn ba cánh

Vật liệu chất nền đơn tinh thể silicon cacbua là một loại vật liệu tinh thể, thuộc về vật liệu bán dẫn bandgap rộng. Nó có những ưu điểm của điện áp cao, điện trở nhiệt độ cao, tần số cao, tổn thất thấp, v.v ... Đây là một vật liệu cơ bản để chuẩn bị các thiết bị điện tử công suất cao và thiết bị tần số vô tuyến vi sóng. Hiện tại, các phương pháp chính để các tinh thể SIC đang phát triển là vận chuyển hơi vật lý (phương pháp PVT), lắng đọng hơi hóa học nhiệt độ cao (phương pháp HTCVD), phương pháp pha lỏng, v.v.

Phương pháp vận chuyển hơi vật lý (PVT) là một kỹ thuật được thiết lập tốt rất phù hợp cho sản xuất công nghiệp quy mô lớn. Trong quá trình này, một tinh thể hạt sic được đặt ở đầu của nồi nấu kim loại, trong khi bột sic, phục vụ như nguyên liệu thô, được đặt ở đáy nồi nấu kim loại. Trong các điều kiện nhiệt độ cao và áp suất thấp trong một môi trường khép kín, bột SIC thăng hoa. Được điều khiển bởi độ dốc nhiệt độ và chênh lệch nồng độ, các loài thăng hoa di chuyển lên phía trên khu vực gần tinh thể hạt. Khi đạt đến trạng thái siêu bão hòa, kết tinh lại xảy ra, cho phép kiểm soát chính xác kích thước và loại tinh thể cụ thể của các tinh thể sic được trồng.

CVD TAC được phủ ba vòng hướng dẫn Petal phục vụ nhiều chức năng quan trọng. Chủ yếu, nó tăng cường cơ học chất lỏng bằng cách hướng dẫn dòng khí, đảm bảo rằng khu vực tăng trưởng tinh thể được tiếp xúc với bầu không khí đồng đều. Ngoài ra, nó tiêu tan hiệu quả nhiệt trong quá trình tăng trưởng tinh thể SIC. Bằng cách duy trì độ dốc nhiệt độ thích hợp, nó tối ưu hóa các điều kiện tăng trưởng đối với các tinh thể SIC và giảm thiểu nguy cơ khiếm khuyết tinh thể do phân bố nhiệt độ không đồng đều.