Bộ thu đèn LED UV

VeTek Semiconductor là nhà sản xuất chuyên về Bộ cảm biến LED UV, có nhiều năm nghiên cứu phát triển và kinh nghiệm sản xuất các bộ cảm biến LED EPI và đã được nhiều khách hàng trong ngành công nhận.

LED, tức là điốt phát sáng bán dẫn, bản chất vật lý của sự phát quang của nó là sau khi tiếp giáp pn bán dẫn được cấp điện, dưới tác dụng của điện thế, các electron và lỗ trống trong vật liệu bán dẫn được kết hợp để tạo ra các photon, để tạo ra đạt được sự phát quang bán dẫn. Vì vậy, công nghệ epiticular là một trong những nền tảng và cốt lõi của đèn LED, đồng thời nó cũng là yếu tố quyết định chính đến các đặc tính điện và quang của đèn LED.

Công nghệ Epitaxy (EPI) đề cập đến sự phát triển của một vật liệu tinh thể đơn trên một chất nền đơn tinh thể có cách sắp xếp mạng giống như chất nền. Nguyên lý cơ bản: Trên một đế được nung nóng đến nhiệt độ thích hợp (chủ yếu là đế sapphire, đế SiC và đế Si), các chất khí indi (In), gali (Ga), nhôm (Al), phốt pho (P) được điều khiển lên bề mặt của chất nền để phát triển một màng đơn tinh thể cụ thể. Hiện nay, công nghệ phát triển của tấm epiticular LED chủ yếu sử dụng phương pháp MOCVD (lắng đọng khí tượng hóa học kim loại hữu cơ).

Vật liệu nền epitaxy LED

1. Đèn LED màu đỏ và vàng:

GaP và GaAs là chất nền thường được sử dụng cho đèn LED màu đỏ và màu vàng. Chất nền GaP được sử dụng trong phương pháp epit Wax pha lỏng (LPE), dẫn đến phạm vi bước sóng rộng 565-700 nm. Đối với phương pháp epit Wax pha khí (VPE), các lớp epiticular GaAsP được phát triển, mang lại bước sóng trong khoảng 630-650 nm. Khi sử dụng MOCVD, chất nền GaAs thường được sử dụng cùng với sự phát triển của cấu trúc epiticular AlInGaP. 

Điều này giúp khắc phục nhược điểm hấp thụ ánh sáng của chất nền GaAs, mặc dù nó gây ra sự không khớp mạng, đòi hỏi các lớp đệm để phát triển cấu trúc InGaP và AlGaInP.

Chất bán dẫn VeTek cung cấp bộ cảm ứng LED EPI với lớp phủ SiC, lớp phủ TaC:

Bộ thu EPI LED VEECO Lớp phủ TaC được sử dụng trong bộ cảm biến LED EPI

2. Đèn LED màu xanh lam và xanh lục:

 ● Chất nền GaN: Tinh thể đơn GaN là chất nền lý tưởng cho sự phát triển GaN, cải thiện chất lượng tinh thể, tuổi thọ chip, hiệu suất phát sáng và mật độ dòng điện. Tuy nhiên, sự chuẩn bị khó khăn đã hạn chế ứng dụng của nó.

Chất nền Sapphire: Sapphire (Al2O3) là chất nền phổ biến nhất cho sự phát triển GaN, mang lại sự ổn định hóa học tốt và không hấp thụ ánh sáng nhìn thấy được. Tuy nhiên, nó phải đối mặt với những thách thức do độ dẫn nhiệt không đủ khi hoạt động với dòng điện cao của chip điện.

● Chất nền SiC: SiC là một chất nền khác được sử dụng để tăng trưởng GaN, đứng thứ hai về thị phần. Nó cung cấp sự ổn định hóa học tốt, tính dẫn điện, tính dẫn nhiệt và không hấp thụ ánh sáng nhìn thấy được. Tuy nhiên, nó có giá cao hơn và chất lượng thấp hơn so với sapphire. SiC không phù hợp với đèn LED UV dưới 380 nm. Khả năng dẫn điện và nhiệt tuyệt vời của SiC giúp loại bỏ nhu cầu liên kết chip lật để tản nhiệt trong đèn LED GaN loại nguồn trên nền sapphire. Cấu trúc điện cực trên và dưới có tác dụng tản nhiệt hiệu quả trong các thiết bị LED GaN loại nguồn.

Bộ thu Epitaxy LED Chất cảm ứng MOCVD với lớp phủ TaC

3. EPI LED UV sâu:

Trong epit Wax LED tia cực tím sâu (DUV), Epit Wax LED UV sâu hoặc DUV LED, các vật liệu hóa học thường được sử dụng làm chất nền bao gồm nhôm nitrit (AlN), cacbua silic (SiC) và gali nitrit (GaN). Những vật liệu này có tính dẫn nhiệt, cách điện và chất lượng tinh thể tốt nên phù hợp cho các ứng dụng DUV LED trong môi trường công suất cao và nhiệt độ cao. Việc lựa chọn vật liệu nền phụ thuộc vào các yếu tố như yêu cầu ứng dụng, quy trình chế tạo và cân nhắc chi phí.

Bộ cảm ứng LED UV sâu được phủ SiC Thiết bị cảm ứng LED UV sâu được phủ TaC