SIC

Sản phẩm của Vetekemon, Thelớp phủ cacbua tantalum (TAC)Các sản phẩm cho quá trình tăng trưởng tinh thể đơn SIC, giải quyết các thách thức liên quan đến giao diện tăng trưởng của các tinh thể silicon cacbua (SIC), đặc biệt là các khiếm khuyết toàn diện xảy ra ở rìa của tinh thể. Bằng cách áp dụng lớp phủ TAC, chúng tôi nhằm mục đích cải thiện chất lượng tăng trưởng tinh thể và tăng diện tích hiệu quả của trung tâm pha lê, điều này rất quan trọng để đạt được sự tăng trưởng nhanh và dày.

Lớp phủ TAC là một giải pháp công nghệ cốt lõi để phát triển chất lượng caoSic Quá trình tăng trưởng tinh thể đơn. Chúng tôi đã phát triển thành công một công nghệ phủ TAC bằng cách sử dụng lắng đọng hơi hóa học (CVD), đã đạt đến cấp độ quốc tế. TAC có các đặc tính đặc biệt, bao gồm điểm nóng chảy cao lên tới 3880 ° C, độ bền cơ học, độ cứng và khả năng chống sốc nhiệt tuyệt vời. Nó cũng thể hiện sự trơ hóa hóa học tốt và độ ổn định nhiệt khi tiếp xúc với nhiệt độ cao và các chất như amoniac, hydro và hơi chứa silicon.

Vekekemonon'slớp phủ cacbua tantalum (TAC)Cung cấp một giải pháp để giải quyết các vấn đề liên quan đến cạnh trong quá trình tăng trưởng tinh thể SIC, cải thiện chất lượng và hiệu quả của quá trình tăng trưởng. Với công nghệ phủ TAC tiên tiến của chúng tôi, chúng tôi mong muốn hỗ trợ phát triển ngành công nghiệp bán dẫn thế hệ thứ ba và giảm sự phụ thuộc vào các vật liệu chính đã nhập.

Phương pháp PVT SIC Quy trình tăng trưởng tinh thể phụ tùng phụ tùng:

TAC LOCATION Crucible, Hạt giữ với lớp phủ TAC, vòng hướng dẫn lớp phủ TAC là các phần quan trọng trong SIC và Lò tinh thể đơn AIN bằng phương pháp PVT.

● Điện trở nhiệt độ cao

●  Độ tinh khiết cao, sẽ không gây ô nhiễm nguyên liệu thô sic và các tinh thể đơn sic.

●  Chống hơi nước Al và N₂corrosion

●  Nhiệt độ eutectic cao (với ALN) để rút ngắn chu kỳ chuẩn bị tinh thể.

●  Có thể tái chế (lên đến 200h), nó cải thiện tính bền vững và hiệu quả của việc chuẩn bị các tinh thể đơn như vậy.