Than chì xốp phủ Tantalum Carbide (TaC) để tăng trưởng tinh thể SiC

Than chì xốp phủ Tantalum Carbide bán dẫn VeTek được thiết kế để tối ưu hóa môi trường phát triển tinh thể SiC thông qua bốn chức năng kỹ thuật cốt lõi:

● Lọc thành phần hơi: Cấu trúc xốp chính xác hoạt động như một bộ lọc có độ tinh khiết cao, đảm bảo chỉ các pha hơi mong muốn mới góp phần hình thành tinh thể, từ đó cải thiện độ tinh khiết tổng thể.

● Kiểm soát nhiệt độ chính xác: Lớp phủ TaC tăng cường độ ổn định nhiệt và độ dẫn điện, cho phép điều chỉnh độ dốc nhiệt độ cục bộ chính xác hơn và kiểm soát tốt hơn tốc độ tăng trưởng.

● Hướng dòng chảy có hướng dẫn: Thiết kế cấu trúc tạo điều kiện thuận lợi cho dòng chất được dẫn hướng, đảm bảo vật liệu được phân phối chính xác đến nơi cần thiết để thúc đẩy sự phát triển đồng đều.

● Kiểm soát rò rỉ hiệu quả: Sản phẩm của chúng tôi cung cấp đặc tính bịt kín tuyệt vời để duy trì tính toàn vẹn và ổn định của môi trường tăng trưởng.

Tính chất vật lý của lớp phủ TaC

So sánh với than chì truyền thống

Lớp phủ tantalum cacbua (TaC) trên mặt cắt cực nhỏ

Tác động của ứng dụng: Giảm thiểu khuyết tật trong quy trình PVT

Trong quy trình PVT (Vận chuyển hơi vật lý), việc thay thế than chì thông thường bằng Graphite xốp phủ TaC của VeTek trực tiếp giải quyết các khiếm khuyết phổ biến được hiển thị trong sơ đồ:

● Ehạn chế tạp chất cacbon: Bằng cách hoạt động như một rào cản đối với các hạt rắn, nó loại bỏ hiệu quả các tạp chất cacbon và làm giảm các ống vi mô thường gặp trong nồi nấu kim loại truyền thống.

● Bảo toàn tính toàn vẹn của cấu trúc: Nó ngăn chặn sự hình thành các hố ăn mòn và vi ống trong quá trình phát triển đơn tinh thể SiC chu kỳ dài.

● Năng suất và chất lượng cao hơn: So với các vật liệu truyền thống, các thành phần được phủ TaC đảm bảo môi trường phát triển sạch hơn, mang lại chất lượng tinh thể và năng suất sản xuất cao hơn đáng kể.