Vòng bọc wafer than chì phủ TaC

Ưu điểm kỹ thuật cốt lõi

• Kháng hóa chất đặc biệt: Được thiết kế để chịu được các loại khí ăn mòn khắc nghiệt (H₂, NH₃, HCl) ở nhiệt độ từ 1200°C đến 2000°C.

• Kết hợp giãn nở nhiệt: Quy trình CVD độc quyền của chúng tôi đảm bảo lớp phủ TaC có CTE (Hệ số giãn nở nhiệt) tối ưu phù hợp với chất nền than chì, ngăn ngừa bong tróc hoặc nứt trong quá trình luân chuyển nhiệt nhanh.

• Kiểm soát hạt vượt trội: Bằng cách bịt kín hoàn toàn than chì xốp, lớp TaC giúp loại bỏ sự rơi vãi hạt, trực tiếp tăng hiệu suất bán dẫn của bạn và giảm thời gian ngừng hoạt động của lò phản ứng.

• Tuổi thọ dịch vụ kéo dài: Bề mặt chịu mài mòn cao có thể chịu được các chu kỳ làm sạch lặp đi lặp lại, mang lại Chi phí sở hữu (CoO) thấp hơn đáng kể so với các giải pháp thay thế không phủ hoặc phủ SiC.

Lớp phủ tantalum cacbua (TaC) trên mặt cắt cực nhỏ

Thông số sản phẩm của Vòng bọc wafer than chì phủ TaC

Tại sao chọn vòng bọc TaC của chúng tôi?

Chúng tôi hiểu rằng trong chế tạo chất bán dẫn, độ tin cậy tương đương với lợi nhuận. Vòng bọc wafer than chì phủ TaC của chúng tôi được kiểm tra hàng loạt về mật độ và độ tinh khiết của lớp phủ. Cho dù bạn đang chuyển đổi từ sản xuất tấm wafer 6 inch sang 8 inch hay tối ưu hóa quy trình MOCVD ở nhiệt độ cao, các vòng của chúng tôi đều cung cấp khả năng che chắn nhiệt và hóa học cần thiết cho quá trình epit Wax đẳng cấp thế giới.