Mã QR
Về chúng tôi
Các sản phẩm
Liên hệ chúng tôi

Điện thoại

Số fax
+86-579-87223657

E-mail

Địa chỉ
Đường Wangda, phố Ziyang, huyện Wuyi, thành phố Kim Hoa, tỉnh Chiết Giang, Trung Quốc
Trong các quy trình bán dẫn nhiệt độ cao, việc xử lý, hỗ trợ và xử lý nhiệt các tấm bán dẫn phụ thuộc vào một bộ phận hỗ trợ đặc biệt—thuyền bán bán dẫn. Khi nhiệt độ quy trình tăng lên và yêu cầu về độ sạch cũng như kiểm soát hạt tăng lên, thuyền wafer thạch anh truyền thống dần bộc lộ các vấn đề như tuổi thọ ngắn, tốc độ biến dạng cao và khả năng chống ăn mòn kém.Thuyền wafer gốm silicon cacbua (SiC)nổi lên trong bối cảnh này và đã trở thành hãng cung cấp thiết bị xử lý nhiệt cao cấp.
![]()
Cacbua silic (SiC) là vật liệu gốm kỹ thuật kết hợp độ cứng cao, độ dẫn nhiệt cao và độ ổn định hóa học tuyệt vời.gốm SiC, được hình thành thông qua quá trình thiêu kết ở nhiệt độ cao, không chỉ có khả năng chống sốc nhiệt vượt trội mà còn duy trì cấu trúc và kích thước ổn định trong môi trường oxy hóa và ăn mòn. Kết quả là, khi được chế tạo thành dạng thuyền bán dẫn, nó có thể hỗ trợ đáng tin cậy các quá trình nhiệt độ cao như khuếch tán, ủ và oxy hóa, khiến nó đặc biệt thích hợp cho các quá trình nhiệt hoạt động ở nhiệt độ trên 1100°C.
Cấu trúc của wafer boat thường được thiết kế với cấu hình lưới song song, nhiều lớp, có khả năng chứa hàng chục, thậm chí hàng trăm wafer cùng một lúc. Ưu điểm của gốm SiC trong việc kiểm soát hệ số giãn nở nhiệt khiến chúng ít bị biến dạng nhiệt hoặc nứt vi mô trong quá trình tăng và giảm nhiệt độ cao. Ngoài ra, hàm lượng tạp chất kim loại có thể được kiểm soát chặt chẽ, giảm đáng kể rủi ro ô nhiễm ở nhiệt độ cao. Điều này khiến chúng rất phù hợp với các quy trình cực kỳ nhạy cảm với độ sạch, chẳng hạn như sản xuất thiết bị điện, MOSFET SiC, MEMS và các sản phẩm khác.
So với thuyền wafer thạch anh truyền thống, thuyền wafer gốm silicon cacbua thường có tuổi thọ cao hơn 3-5 lần trong điều kiện luân chuyển nhiệt thường xuyên, nhiệt độ cao. Độ cứng cao hơn và khả năng chống biến dạng cao hơn cho phép liên kết wafer ổn định hơn, giúp cải thiện năng suất. Quan trọng hơn, vật liệu SiC duy trì sự thay đổi kích thước tối thiểu trong các chu kỳ gia nhiệt và làm mát thường xuyên, giảm hiện tượng sứt mẻ cạnh wafer hoặc bong tróc hạt do biến dạng thuyền wafer.
|
So sánh |
Thuyền wafer thạch anh |
Thuyền wafer gốm SiC |
Chất mang wafer dựa trên than chì |
|
Vật liệu cơ bản |
Silica nung chảy có độ tinh khiết cao (SiO₂) |
Gốm SiC kỹ thuật |
Than chì có độ tinh khiết cao; có thể được phủ |
|
Độ dẫn nhiệt |
Tương đối thấp |
Nói chung là cao hơn; phụ thuộc vào lớp |
Thường cao; phụ thuộc vào cấp độ và hướng |
|
Giãn nở nhiệt |
Rất thấp |
Cao hơn thạch anh nung chảy |
Phụ thuộc vào cấp độ và định hướng |
|
Hiệu suất nhiệt độ cao |
Được thành lập trong các quy trình lò đủ tiêu chuẩn; làm mềm và biến dạng có thể hạn chế dịch vụ |
Tiềm năng mạnh mẽ cho các ứng dụng đòi hỏi nhiệt độ cao; phụ thuộc vào lớp |
Thích hợp cho môi trường trơ/chân không đã chọn; than chì trần không thích hợp cho nhiều quá trình oxy hóa |
|
Đặc tính cơ học |
Giòn; từ biến và biến dạng cần đánh giá |
Độ cứng và độ cứng cao; vẫn giòn |
Dễ dàng gia công; sức mạnh thay đổi theo cấp độ và nhiệt độ |
|
Kiểm soát ô nhiễm |
Các loại có độ tinh khiết cao được sử dụng rộng rãi trong các quy trình bán dẫn sạch |
Yêu cầu chất lượng tạp chất, độ xốp và điều kiện bề mặt |
Than chì trần có thể gây ô nhiễm liên quan đến cacbon; lớp phủ yêu cầu kiểm soát tính toàn vẹn |
|
Thiết kế chiều |
Cấu hình lò vận chuyển được thiết lập |
Thiết kế gốm chính xác |
Gia công linh hoạt; lớp phủ có thể ảnh hưởng đến dung sai cuối cùng |
|
Ứng dụng điển hình |
Khuếch tán, oxy hóa, LPCVD |
Khuếch tán nhiệt độ cao, oxy hóa, ủ và CVD đủ tiêu chuẩn |
Các ứng dụng chọn lọc ở nhiệt độ cao, khí quyển trơ hoặc chất mang được phủ |
Không phải tất cả các thuyền bán dẫn SiC đều được sản xuất từ cùng một loại gốm. Các tuyến sản xuất khác nhau tạo ra các cấu trúc vi mô và đặc tính hiệu suất riêng biệt.
SiC kết tinh lại được sử dụng trong các thành phần gốm nhiệt độ cao được thiết kế. Tùy thuộc vào loại, nó có thể biểu hiện độ xốp mở đáng kể, điều này phải được xem xét khi đánh giá mức độ nhiễm bẩn, làm sạch và khả năng tương thích của quy trình.
SiC thiêu kết không áp suất có thể tạo ra cấu trúc gốm dày đặc với độ cứng cao, độ bền cơ học và hiệu suất nhiệt tốt. Các đặc tính thực tế phụ thuộc vào công thức, quá trình thiêu kết và loại vật liệu.
SiC liên kết phản ứng thường chứa pha silicon dư. Điều này có thể ảnh hưởng đến nhiệt độ sử dụng tối đa và khả năng tương thích hóa học, do đó, không nên coi giới hạn hoạt động của nó giống với giới hạn hoạt động của RSiC hoặc SSiC.
Giá đỡ tấm wafer than chì được phủ SiC là một cấu trúc khác với thuyền bán dẫn bằng gốm SiC nguyên khối.
Nó sử dụng chất nền than chì được bảo vệ bởi lớp phủ SiC lắng đọng. Những thiết kế như vậy có thể mang lại lợi thế trong các môi trường xử lý nhiệt cụ thể, nhưng phải đánh giá tính toàn vẹn của lớp phủ, các cạnh lộ ra và khả năng nhiễm bẩn.
Trong các ứng dụng công nghiệp, thuyền wafer gốm cacbua silic đang dần trở thành lựa chọn ưu tiên của các nhà sản xuất thiết bị cao cấp trong quy trình xử lý nhiệt, từ thiết bị silicon truyền thống đến vật liệu bán dẫn thế hệ thứ ba. Chúng không chỉ thích hợp cho các thiết bị xử lý nhiệt khác nhau, chẳng hạn như lò nung ống đứng và lò oxy hóa ngang, mà hiệu suất ổn định của chúng trong môi trường nhiệt độ cao, có tính ăn mòn cao còn mang lại sự đảm bảo mạnh mẽ hơn cho tính nhất quán của quy trình và công suất thiết bị.
Sự phổ biến dần dần của thuyền wafer gốm cacbua silic đánh dấu sự tăng tốc của vật liệu gốm tiên tiến thâm nhập vào các thành phần hỗ trợ cốt lõi của thiết bị bán dẫn. So với vật liệu thạch anh truyền thống, ưu điểm của chúng về độ ổn định ở nhiệt độ cao, độ cứng kết cấu và khả năng chống mỏi do nhiệt mang lại nền tảng vật liệu đáng tin cậy cho sự phát triển liên tục của nhiệt độ cao hơn và các cửa sổ quy trình nghiêm ngặt hơn. Hiện nay, thuyền wafer gốm cacbua silicon 6 inch và 8 inch được sử dụng rộng rãi trong quy trình xử lý nhiệt sản xuất hàng loạt của các thiết bị điện trong ngành bán dẫn.
Thông số kỹ thuật 12 inch đang dần được đưa vào các quy trình cao cấp và dây chuyền sản xuất tiên tiến, trở thành hướng đi quan trọng cho giai đoạn hợp tác thiết bị và vật liệu tiếp theo. Đồng thời, thuyền wafer 2-4 inch tiếp tục đóng một vai trò trong nền tảng nghiên cứu và các kịch bản quy trình cụ thể, chẳng hạn như xử lý chất nền LED và xác minh quy trình. Thuyền wafer gốm cacbua silic sẽ chứng tỏ những lợi thế lớn hơn về độ ổn định, kiểm soát kích thước và công suất wafer, thúc đẩy sự phát triển không ngừng của công nghệ vật liệu gốm liên quan.
Một chiếc thuyền bán dẫn giữ các tấm bán dẫn ở các vị trí cách đều nhau một cách chính xác trong quá trình xử lý lò. Chức năng chính của nó là hỗ trợ cơ học, căn chỉnh wafer và tương thích với môi trường xử lý nhiệt và hóa học.
Thuyền wafer gốm SiC thường cung cấp độ dẫn nhiệt cao hơn và khả năng cơ học ở nhiệt độ cao hơn cho các loại phù hợp. Thuyền wafer thạch anh có độ giãn nở nhiệt thấp hơn nhiều và được sử dụng rộng rãi trong các quy trình lò bán dẫn sạch đã được thiết lập. Vật liệu ưa thích phụ thuộc vào điều kiện hoạt động.
Không có giới hạn nhiệt độ duy nhất cho tất cả các thuyền wafer gốm SiC. Nhiệt độ vận hành tối đa phụ thuộc vào cấp độ SiC, môi trường lò, tải trọng cơ học, thời gian tiếp xúc và chu kỳ nhiệt. Thành phần hoàn thiện phải đủ tiêu chuẩn cho các điều kiện quy trình dự định của nó.
Có, thuyền bán dẫn bằng gốm SiC đủ tiêu chuẩn và được lựa chọn phù hợp có thể được sử dụng trong các ứng dụng khuếch tán và oxy hóa. Hóa học vật liệu, độ sạch bề mặt, thiết kế cơ học và khả năng tương thích với khí xử lý phải được xác minh.
Thuyền wafer có thể được thiết kế cho các cấu hình lò, kích thước wafer, số lượng khe, bước và hình dạng hỗ trợ khác nhau, tùy thuộc vào tính khả thi trong sản xuất và xác nhận thiết kế.
Thuyền wafer gốm SiC rắn sử dụng thân bằng gốm, trong khi các vật mang than chì được phủ SiC sử dụng chất nền than chì với lớp SiC bảo vệ. Phản ứng nhiệt, cơ chế hư hỏng, rủi ro ô nhiễm và giới hạn dịch vụ của chúng là khác nhau.
Các nguyên nhân tiềm ẩn bao gồm mài mòn cơ học, hình học tiếp xúc với tấm bán dẫn không phù hợp, tích tụ màng lắng đọng, hư hỏng do nhiệt, khuyết tật bề mặt và nhiễm bẩn trong quá trình xử lý hoặc làm sạch. Phân tích nguyên nhân gốc rễ nên xem xét vật liệu mang và quy trình nung thực tế.
+86-579-87223657
Đường Wangda, phố Ziyang, huyện Wuyi, thành phố Kim Hoa, tỉnh Chiết Giang, Trung Quốc
Bản quyền © 2024 WuYi TianYao New Material Tech.Co.,Ltd. Mọi quyền được bảo lưu.
Links | Sitemap | RSS | XML | Chính sách bảo mật |