Tin tức trong ngành

Bài báo giải thích độ dốc nhiệt độ trong lò đơn tinh thể. Nó bao gồm các trường nhiệt tĩnh và động trong quá trình tăng trưởng tinh thể, giao diện chất lỏng rắn và vai trò của gradient nhiệt độ trong hóa rắn.

Quá trình Taiko Thins Silicon Wafer sử dụng các nguyên tắc, lợi thế kỹ thuật và nguồn gốc quy trình của nó.

Nghiên cứu về lò nung sic và nghiên cứu quá trình đồng nhất SIC 8 inch

Bài báo phân tích tính chất vật liệu của các tấm nền bán dẫn như silicon, GaAs, SiC và GaN