Tin tức trong ngành

Trong ngành sản xuất chất bán dẫn, khi kích thước thiết bị tiếp tục co lại, công nghệ lắng đọng của vật liệu màng mỏng đã đặt ra những thách thức chưa từng có. Sự lắng đọng lớp nguyên tử (ALD), như một công nghệ lắng đọng màng mỏng có thể đạt được sự kiểm soát chính xác ở cấp độ nguyên tử, đã trở thành một phần không thể thiếu của sản xuất chất bán dẫn. Bài viết này nhằm giới thiệu dòng quy trình và các nguyên tắc của ALD để giúp hiểu vai trò quan trọng của nó trong sản xuất chip tiên tiến.

Đó là lý tưởng để xây dựng các mạch tích hợp hoặc thiết bị bán dẫn trên một lớp cơ sở tinh thể hoàn hảo. Quá trình epit Wax (epi) trong sản xuất chất bán dẫn nhằm mục đích tạo ra một lớp đơn tinh thể mịn, thường khoảng 0,5 đến 20 micron, trên chất nền đơn tinh thể. Quá trình epit Wax là một bước quan trọng trong việc sản xuất các thiết bị bán dẫn, đặc biệt là trong sản xuất tấm bán dẫn silicon.

Sự khác biệt chính giữa epitaxy và lắng đọng lớp nguyên tử (ALD) nằm trong các cơ chế tăng trưởng màng và điều kiện hoạt động của họ. Epitaxy đề cập đến quá trình phát triển một màng mỏng tinh thể trên chất nền tinh thể với mối quan hệ định hướng cụ thể, duy trì cấu trúc tinh thể tương tự hoặc tương tự. Ngược lại, ALD là một kỹ thuật lắng đọng liên quan đến việc lộ chất nền cho các tiền chất hóa học khác nhau theo trình tự để tạo thành một lớp phim mỏng một lớp nguyên tử tại một thời điểm.

Lớp phủ CVD TAC là quá trình hình thành lớp phủ dày đặc và bền trên nền (graphit). Phương pháp này liên quan đến việc lắng đọng TaC lên bề mặt chất nền ở nhiệt độ cao, tạo ra lớp phủ tantalum cacbua (TaC) có độ ổn định nhiệt và kháng hóa chất tuyệt vời.