Tin tức trong ngành

ALD không gian, lắng đọng lớp nguyên tử bị cô lập trong không gian. Tấm wafer di chuyển giữa các vị trí khác nhau và tiếp xúc với các tiền chất khác nhau ở mỗi vị trí. Hình dưới đây là sự so sánh giữa ALD truyền thống và ALD bị cô lập về mặt không gian.

Gần đây, Viện nghiên cứu Đức Fraunhofer IISB đã tạo ra một bước đột phá trong việc nghiên cứu và phát triển công nghệ lớp phủ cacbua tantalum, và phát triển một giải pháp sơn phun linh hoạt và thân thiện với môi trường hơn so với giải pháp lắng đọng CVD và đã được thương mại hóa.

Trong thời đại phát triển công nghệ nhanh chóng, in 3D, như một đại diện quan trọng của công nghệ sản xuất tiên tiến, đang dần thay đổi bộ mặt của sản xuất truyền thống. Với sự trưởng thành liên tục của công nghệ và giảm chi phí, công nghệ in 3D đã cho thấy triển vọng ứng dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực như hàng không vũ trụ, sản xuất ô tô, thiết bị y tế và thiết kế kiến ​​trúc, và đã thúc đẩy sự đổi mới và phát triển của các ngành công nghiệp này.

Chỉ riêng vật liệu đơn tinh thể không thể đáp ứng nhu cầu sản xuất ngày càng tăng của các thiết bị bán dẫn khác nhau. Vào cuối năm 1959, một lớp mỏng công nghệ tăng trưởng vật liệu đơn tinh thể - tăng trưởng epiticular đã được phát triển.