4H Bán cách cách điện SiC Chất nền SIC

SIC Wafer đóng nhiều vai trò chính trong quá trình xử lý chất bán dẫn. Kết hợp với điện trở suất cao, độ dẫn nhiệt cao, dải rộng và các tính chất khác, nó được sử dụng rộng rãi trong các trường tần số cao, năng lượng cao và nhiệt độ cao, đặc biệt là trong các ứng dụng vi sóng và RF. Nó là một sản phẩm thành phần không thể thiếu trong quy trình sản xuất chất bán dẫn.

Lợi thế chính

1. Tính chất điện tuyệt vời

Điện điện phân tích quan trọng cao (khoảng 3 mV/cm): cao hơn khoảng 10 lần so với silicon, có thể hỗ trợ thiết kế lớp trôi điện áp cao hơn và độ trôi mỏng hơn, giảm đáng kể độ bền, phù hợp với các thiết bị công suất điện áp cao.

Tính chất bán kết hợp: Điện trở suất cao (> 10^5 · · cm) thông qua doping vanadi hoặc bù khiếm khuyết nội tại, phù hợp với tần số cao, các thiết bị RF mất thấp (như HEMT), giảm hiệu ứng điện dung ký sinh.

2. Tính ổn định nhiệt và hóa học

Độ dẫn nhiệt cao (4,9W /cm · k): Hiệu suất tản nhiệt tuyệt vời, hỗ trợ công việc nhiệt độ cao (nhiệt độ làm việc lý thuyết có thể đạt tới 200 ℃ trở lên), giảm các yêu cầu tản nhiệt của hệ thống.

Sự trơ hóa hóa học: trơ hầu hết các axit và kiềm, khả năng chống ăn mòn mạnh, phù hợp với môi trường khắc nghiệt.

3. Cấu trúc vật liệu và chất lượng tinh thể

Cấu trúc polytypic 4H: Cấu trúc hình lục giác cung cấp độ di động điện tử cao hơn (ví dụ: tính di động điện tử theo chiều dọc khoảng 1140 cm²/V · s), vượt trội hơn so với các cấu trúc polytypic khác (ví dụ: 6H-SIC) và phù hợp với các thiết bị tần số cao.

Tăng trưởng epiticular chất lượng cao: Mật độ dị tật thấp không đồng nhất màng epiticial (như các lớp epiticular trên chất nền tổng hợp ALN/SI) có thể đạt được thông qua công nghệ CVD (lắng đọng hóa chất hóa học), cải thiện độ tin cậy của thiết bị.

4. Khả năng tương thích quá trình

Tương thích với quy trình silicon: Lớp cách điện SiO₂ có thể được hình thành thông qua quá trình oxy hóa nhiệt, dễ dàng tích hợp các thiết bị quy trình dựa trên silicon như MOSFET.

Tối ưu hóa tiếp xúc Ohmic: Việc sử dụng quá trình hợp kim kim loại nhiều lớp (như Ni/Ti/PT), giảm điện trở tiếp xúc (như điện trở tiếp xúc cấu trúc Ni/Si/Al thấp tới 1,3 × 10^-4 · · cm), cải thiện hiệu suất của thiết bị.

5. Kịch bản ứng dụng

Điện tử điện: Được sử dụng để sản xuất các điốt Schottky điện áp cao (SBD), Mô-đun IGBT, v.v., hỗ trợ tần số chuyển đổi cao và tổn thất thấp.

Các thiết bị RF: Thích hợp cho các trạm cơ sở truyền thông 5G, radar và các kịch bản tần số cao khác, chẳng hạn như các thiết bị Algan/GaN Hemt.

Chất bán dẫn Vetek liên tục theo đuổi chất lượng tinh thể cao hơn và chất lượng xử lý để đáp ứng nhu cầu của khách hàng. Hiện tại,4 inchVà6 inchsản phẩm có sẵn và8 inchSản phẩm đang được phát triển. 

Thông số kỹ thuật cơ bản SIC bán kết hợp:

Thông số kỹ thuật chất lượng tinh thể SIC bán kết hợp:

Phương pháp phát hiện chất nền SIC bán cách điện 4h: