Tin tức

Với nhu cầu ngày càng tăng đối với các vật liệu SIC trong Điện tử năng lượng, Optoelectronics và các lĩnh vực khác, sự phát triển của công nghệ tăng trưởng tinh thể SIC sẽ trở thành một lĩnh vực quan trọng của đổi mới khoa học và công nghệ. Là cốt lõi của thiết bị tăng trưởng tinh thể đơn SIC, thiết kế trường nhiệt sẽ tiếp tục nhận được sự chú ý sâu rộng và nghiên cứu chuyên sâu.

Thông qua tiến bộ công nghệ liên tục và nghiên cứu cơ chế chuyên sâu, công nghệ dị vòng 3C-SiC dự kiến ​​sẽ đóng vai trò quan trọng hơn trong ngành bán dẫn và thúc đẩy sự phát triển của các thiết bị điện tử hiệu suất cao.

ALD không gian, lắng đọng lớp nguyên tử bị cô lập trong không gian. Tấm wafer di chuyển giữa các vị trí khác nhau và tiếp xúc với các tiền chất khác nhau ở mỗi vị trí. Hình dưới đây là sự so sánh giữa ALD truyền thống và ALD bị cô lập về mặt không gian.

Gần đây, Viện nghiên cứu Đức Fraunhofer IISB đã tạo ra một bước đột phá trong việc nghiên cứu và phát triển công nghệ lớp phủ cacbua tantalum, và phát triển một giải pháp sơn phun linh hoạt và thân thiện với môi trường hơn so với giải pháp lắng đọng CVD và đã được thương mại hóa.