Tin tức

Sự khác biệt chính giữa epitaxy và lắng đọng lớp nguyên tử (ALD) nằm trong các cơ chế tăng trưởng màng và điều kiện hoạt động của họ. Epitaxy đề cập đến quá trình phát triển một màng mỏng tinh thể trên chất nền tinh thể với mối quan hệ định hướng cụ thể, duy trì cấu trúc tinh thể tương tự hoặc tương tự. Ngược lại, ALD là một kỹ thuật lắng đọng liên quan đến việc lộ chất nền cho các tiền chất hóa học khác nhau theo trình tự để tạo thành một lớp phim mỏng một lớp nguyên tử tại một thời điểm.

Lớp phủ CVD TAC là quá trình hình thành lớp phủ dày đặc và bền trên nền (graphit). Phương pháp này liên quan đến việc lắng đọng TaC lên bề mặt chất nền ở nhiệt độ cao, tạo ra lớp phủ tantalum cacbua (TaC) có độ ổn định nhiệt và kháng hóa chất tuyệt vời.

Khi quá trình silicon cacbua 8 inch (SIC) trưởng thành, các nhà sản xuất đang tăng tốc sự thay đổi từ 6 inch sang 8 inch. Gần đây, trên chất bán dẫn và Resonac đã công bố cập nhật về sản xuất SIC 8 inch.

Bài viết này giới thiệu những phát triển mới nhất về lò phản ứng CVD vách nóng PE1O8 được thiết kế mới của công ty LPE của Ý và khả năng thực hiện epit Wax 4H-SiC đồng nhất trên SiC 200mm.

Với nhu cầu ngày càng tăng đối với các vật liệu SIC trong Điện tử năng lượng, Optoelectronics và các lĩnh vực khác, sự phát triển của công nghệ tăng trưởng tinh thể SIC sẽ trở thành một lĩnh vực quan trọng của đổi mới khoa học và công nghệ. Là cốt lõi của thiết bị tăng trưởng tinh thể đơn SIC, thiết kế trường nhiệt sẽ tiếp tục nhận được sự chú ý sâu rộng và nghiên cứu chuyên sâu.

Thông qua tiến bộ công nghệ liên tục và nghiên cứu cơ chế chuyên sâu, công nghệ dị vòng 3C-SiC dự kiến ​​sẽ đóng vai trò quan trọng hơn trong ngành bán dẫn và thúc đẩy sự phát triển của các thiết bị điện tử hiệu suất cao.