Bệ phủ SiC

Với nhiều năm kinh nghiệm trong việc sản xuất các bộ phận bằng than chì phủ SiC, Vetek Semiconductor có thể cung cấp nhiều loại bệ được phủ SiC. Bệ phủ SiC chất lượng cao có thể đáp ứng nhiều ứng dụng, nếu bạn có nhu cầu, vui lòng liên hệ với dịch vụ kịp thời trực tuyến của chúng tôi về bệ phủ SiC. Ngoài danh sách sản phẩm bên dưới, bạn cũng có thể tùy chỉnh bệ phủ SiC độc đáo theo nhu cầu cụ thể của mình.

So với các phương pháp khác, chẳng hạn như MBE, LPE, PLD, phương pháp MOCVD có lợi thế của hiệu quả tăng trưởng cao hơn, độ chính xác kiểm soát tốt hơn và chi phí tương đối thấp và được sử dụng rộng rãi trong ngành công nghiệp hiện tại. Với nhu cầu ngày càng tăng đối với các vật liệu epitaxial bán dẫn, đặc biệt là đối với mộtPhạm vi của các vật liệu epitaxial quang điện tử như LD và LED, điều rất quan trọng là áp dụng các thiết kế thiết bị mới để tăng thêm năng lực sản xuất và giảm chi phí.

Trong số đó, khay than chì chứa chất nền được sử dụng trong tăng trưởng epiticular MOCVD là một phần rất quan trọng của thiết bị MOCVD. Khay than chì được sử dụng trong quá trình tăng trưởng epiticular của nitrua nhóm III, để tránh sự ăn mòn của amoniac, hydro và các khí khác trên than chì, nói chung trên bề mặt của khay than chì sẽ được mạ một lớp bảo vệ cacbua silic mỏng đồng nhất. 

Trong quá trình tăng trưởng epiticular của vật liệu, tính đồng nhất, tính nhất quán và độ dẫn nhiệt của lớp bảo vệ cacbua silic rất cao và có những yêu cầu nhất định đối với tuổi thọ của nó. Bệ được phủ SiC của Vetek Semiconductor giúp giảm chi phí sản xuất pallet than chì và cải thiện tuổi thọ sử dụng của chúng, điều này có vai trò lớn trong việc giảm giá thành của thiết bị MOCVD. Bệ phủ SIC cũng là một phần quan trọng của buồng phản ứng MOCVD, giúp cải thiện hiệu quả hiệu quả sản xuất.

Tính chất vật lý cơ bản của lớp phủ CVD sic:

Tính chất vật lý cơ bản của lớp phủ CVD SiC