Pin nâng wafer

Thỏa thuận Semiconductor cung cấplớp phủ SiCVàlớp phủ TaCTài liệu với giá cạnh tranh và chất lượng cao, chào mừng bạn đến với chúng tôi.

Chốt nâng tấm wafer EPI của VeTek Semiconductor là thiết bị quan trọng được thiết kế đặc biệt cho sản xuất chất bán dẫn. Nó được sử dụng để nâng và vận chuyển các tấm wafer, đảm bảo sự an toàn và ổn định của chúng trong quá trình sản xuất. Chúng tôi cung cấp chốt nâng wafer được phủ SiC, chốt đầu, vòng gia nhiệt trước cho quy trình EPI.

● Độ chính xác và ổn định cao: Ghim nâng tấm wafer EPI sử dụng các quy trình và vật liệu tiên tiến để đảm bảo độ chính xác và ổn định cao khi nâng và xử lý tấm wafer. Nó có thể định vị và cố định các tấm bán dẫn một cách chính xác, tránh sự sai lệch và hư hỏng của các tấm bán dẫn trong quá trình sản xuất.

● An toàn và tin cậy: Chân nâng wafer EPI của chúng tôi được sản xuất từ ​​vật liệu có độ bền cao để có độ bền và độ tin cậy tuyệt vời. Nó có thể chịu được trọng lượng và áp suất, đảm bảo rằng tấm bán dẫn sẽ không bị hư hỏng hoặc vô tình bị rơi trong quá trình xử lý.

● Tự động hóa và hiệu quả: Chân nâng wafer EPI của VeTek Semiconductor được thiết kế để hoạt động tự chủ và tích hợp liền mạch với thiết bị sản xuất chất bán dẫn. Nó có thể nâng và di chuyển các tấm bán dẫn một cách nhanh chóng và chính xác, tăng hiệu quả sản xuất và giảm nhu cầu vận hành thủ công.

● Khả năng tương thích và khả năng ứng dụng: Chân nâng tấm wafer EPI phù hợp với nhiều kích cỡ và loại tấm wafer, bao gồm các tấm wafer có đường kính và vật liệu khác nhau. Nó có thể tương thích với nhiều loại thiết bị và quy trình sản xuất chất bán dẫn và phù hợp với nhiều môi trường sản xuất khác nhau.

● Hỗ trợ chất lượng cao và đáng tin cậy: Chúng tôi cam kết cung cấp các sản phẩm chất lượng cao và đáng tin cậy và cung cấp hỗ trợ và dịch vụ toàn diện cho khách hàng của chúng tôi. Các chân nâng wafer của chúng tôi trải qua kiểm soát và kiểm tra chất lượng nghiêm ngặt để đảm bảo hiệu suất và độ bền của chúng.

SEM DỮ LIỆU CỦA PHIM CVD SIC:

Tính chất vật lý cơ bản của lớp phủ CVD SiC: