Các sản phẩm
Lò nung tinh thể SiC gia nhiệt điện trở cỡ lớn
  • Lò nung tinh thể SiC gia nhiệt điện trở cỡ lớnLò nung tinh thể SiC gia nhiệt điện trở cỡ lớn

Lò nung tinh thể SiC gia nhiệt điện trở cỡ lớn

Sự phát triển của tinh thể cacbua silic là một quá trình cốt lõi trong sản xuất các thiết bị bán dẫn hiệu suất cao. Độ ổn định, độ chính xác và khả năng tương thích của thiết bị tăng trưởng tinh thể quyết định trực tiếp đến chất lượng và năng suất của thỏi cacbua silic. Dựa trên các đặc tính của công nghệ Vận chuyển hơi vật lý (PVT), Veteksemi đã phát triển lò gia nhiệt điện trở để phát triển tinh thể cacbua silic, cho phép phát triển ổn định các tinh thể cacbua silic 6 inch, 8 inch và 12 inch với khả năng tương thích hoàn toàn với các hệ thống vật liệu dẫn điện, bán cách điện và loại N. Thông qua việc kiểm soát chính xác nhiệt độ, áp suất và công suất, nó làm giảm hiệu quả các khiếm khuyết về tinh thể như EPD (Mật độ Etch Pit) và BPD (Sự lệch mặt phẳng cơ bản), đồng thời có mức tiêu thụ năng lượng thấp và thiết kế nhỏ gọn để đáp ứng các tiêu chuẩn cao của sản xuất công nghiệp quy mô lớn.

Thông số kỹ thuật

tham số
Đặc điểm kỹ thuật
Quá trình tăng trưởng
Vận chuyển hơi vật lý (PVT)
Phương pháp sưởi ấm
Gia nhiệt bằng điện trở than chì
Kích thước tinh thể thích ứng
6 inch, 8 inch, 12 inch (có thể chuyển đổi; thời gian thay buồng < 4 giờ)
Các loại tinh thể tương thích
Loại dẫn điện, loại bán cách điện, loại N (loạt đầy đủ)
Nhiệt độ hoạt động tối đa
≥2400oC
Chân không cuối cùng
≤9×10⁻⁵Pa (điều kiện lò nguội)
Tốc độ tăng áp suất
1.0Pa/12h (lò lạnh)
Sức mạnh tăng trưởng tinh thể
34.0KW
Độ chính xác điều khiển nguồn
± 0,15% (trong điều kiện tăng trưởng ổn định)
Kiểm soát áp suất chính xác
0,15Pa (giai đoạn tăng trưởng); dao động <±0,001 Torr (tại 1,0Torr)
Mật độ khuyết tật tinh thể
BPD < 381 đ/cm2; TED < 1054 e/cm2
Tốc độ tăng trưởng tinh thể
0,2-0,3 mm/giờ
Chiều cao tăng trưởng tinh thể
30-40mm
Kích thước tổng thể (W×D×H)
1800mm × 3300mm × 2700mm


Ưu điểm cốt lõi


 Khả năng tương thích kích thước đầy đủ

Cho phép phát triển ổn định các tinh thể cacbua silic 6 inch, 8 inch và 12 inch, hoàn toàn tương thích với các hệ thống vật liệu dẫn điện, bán cách điện và loại N. Nó đáp ứng nhu cầu sản xuất các sản phẩm có thông số kỹ thuật khác nhau và thích ứng với các tình huống ứng dụng đa dạng.


● Tính ổn định của quy trình mạnh mẽ

Các tinh thể 8 inch có tính nhất quán đa dạng 4H tuyệt vời, hình dạng bề mặt ổn định và độ lặp lại cao; công nghệ tăng trưởng tinh thể cacbua silic 12 inch đã hoàn tất quá trình xác minh với tính khả thi sản xuất hàng loạt cao.


● Tỷ lệ khuyết tật tinh thể thấp

Thông qua việc kiểm soát chính xác nhiệt độ, áp suất và công suất, các khuyết tật trong tinh thể được giảm thiểu một cách hiệu quả với các chỉ số chính đáp ứng tiêu chuẩn—EPD=1435 ea/cm2, BPD=381 ea/cm2, TSD=0 ea/cm2 và TED=1054 ea/cm2. Tất cả các chỉ số khuyết tật đều đáp ứng yêu cầu chất lượng tinh thể cao cấp, cải thiện đáng kể năng suất phôi.


● Chi phí vận hành có thể kiểm soát

Nó có mức tiêu thụ năng lượng thấp nhất trong số các sản phẩm tương tự. Các bộ phận cốt lõi (như tấm chắn cách nhiệt) có chu kỳ thay thế dài từ 6-12 tháng, giúp giảm chi phí vận hành toàn diện.


● Tiện ích Plug-and-Play

Các gói công thức và quy trình tùy chỉnh dựa trên đặc tính của thiết bị, được xác minh thông qua sản xuất dài hạn và nhiều lô, cho phép sản xuất ngay sau khi lắp đặt.


● An toàn và tin cậy

Áp dụng thiết kế tia lửa chống hồ quang đặc biệt để loại bỏ các mối nguy hiểm an toàn tiềm ẩn; chức năng giám sát và cảnh báo sớm theo thời gian thực chủ động tránh rủi ro vận hành.


● Hiệu suất chân không tuyệt vời

Các chỉ số tốc độ tăng áp suất và chân không cuối cùng vượt quá mức hàng đầu quốc tế, đảm bảo môi trường sạch sẽ cho sự phát triển của tinh thể.


● Vận hành và bảo trì thông minh

Có giao diện HMI trực quan kết hợp với khả năng ghi dữ liệu toàn diện, hỗ trợ các chức năng giám sát từ xa tùy chọn để quản lý sản xuất hiệu quả và thuận tiện.


Hiển thị trực quan hiệu suất cốt lõi


Đường cong chính xác kiểm soát nhiệt độ

Temperature Control Accuracy Curve

Độ chính xác kiểm soát nhiệt độ của lò tăng trưởng tinh thể ≤ ± 0,3°C; Tổng quan về đường cong nhiệt độ



Biểu đồ độ chính xác kiểm soát áp suất


Pressure Control Accuracy Graph

Độ chính xác kiểm soát áp suất của lò tăng trưởng tinh thể: 1,0 Torr, Độ chính xác kiểm soát áp suất: 0,001 Torr


Độ chính xác ổn định nguồn điện


Tính ổn định và thống nhất giữa các lò/mẻ: Độ ổn định chính xác của nguồn điện

Power Stability Precision

Trong trạng thái tăng trưởng tinh thể, độ chính xác của điều khiển công suất trong quá trình tăng trưởng tinh thể ổn định là ± 0,15%.


Cửa hàng sản phẩm Veteksemiaon

Veteksemicon products shop



Thẻ nóng: Lò nung tinh thể SiC gia nhiệt điện trở cỡ lớn
Gửi yêu cầu
Thông tin liên lạc
  • Địa chỉ

    Đường Wangda, phố Ziyang, huyện Wuyi, thành phố Kim Hoa, tỉnh Chiết Giang, Trung Quốc

  • điện thoại

    +86-15988690905

Nếu có thắc mắc về Lớp phủ silicon cacbua, Lớp phủ cacbua Tantalum, Than chì đặc biệt hoặc bảng giá, vui lòng để lại email của bạn cho chúng tôi và chúng tôi sẽ liên hệ trong vòng 24 giờ.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept