Tin tức

Tin tức trong ngành

Sự phát triển của CVD-SiC từ lớp phủ màng mỏng đến vật liệu khối10 2026-04

Sự phát triển của CVD-SiC từ lớp phủ màng mỏng đến vật liệu khối

Vật liệu có độ tinh khiết cao rất cần thiết cho sản xuất chất bán dẫn. Các quá trình này liên quan đến nhiệt độ cực cao và hóa chất ăn mòn. CVD-SiC (Cacbua silic lắng đọng hơi hóa học) mang lại độ ổn định và độ bền cần thiết. Hiện nay nó là lựa chọn hàng đầu cho các bộ phận thiết bị tiên tiến do độ tinh khiết và mật độ cao.
Nút thắt vô hình trong tăng trưởng SiC: Tại sao nguyên liệu thô SiC CVD số lượng lớn 7N lại thay thế bột truyền thống07 2026-04

Nút thắt vô hình trong tăng trưởng SiC: Tại sao nguyên liệu thô SiC CVD số lượng lớn 7N lại thay thế bột truyền thống

Trong thế giới chất bán dẫn Silicon Carbide (SiC), hầu hết sự chú ý đều chiếu vào lò phản ứng epiticular 8 inch hoặc sự phức tạp của việc đánh bóng wafer. Tuy nhiên, nếu chúng ta truy ngược chuỗi cung ứng về thời điểm ban đầu—bên trong lò Vận chuyển Hơi Vật lý (PVT)—một “cuộc cách mạng vật chất” cơ bản đang diễn ra một cách âm thầm.
Tấm áp điện PZT: Giải pháp hiệu suất cao cho MEMS thế hệ tiếp theo20 2026-03

Tấm áp điện PZT: Giải pháp hiệu suất cao cho MEMS thế hệ tiếp theo

Trong thời đại phát triển nhanh chóng của MEMS (Hệ thống vi cơ điện tử), việc lựa chọn vật liệu áp điện phù hợp là quyết định mang tính quyết định đối với hiệu suất của thiết bị. Tấm wafer màng mỏng PZT (Lead Zirconate Titanate) đã nổi lên như sự lựa chọn hàng đầu so với các lựa chọn thay thế như AlN (Aluminum Nitride), cung cấp khả năng ghép nối cơ điện vượt trội cho các cảm biến và bộ truyền động tiên tiến.
X
Chúng tôi sử dụng cookie để cung cấp cho bạn trải nghiệm duyệt web tốt hơn, phân tích lưu lượng truy cập trang web và cá nhân hóa nội dung. Bằng cách sử dụng trang web này, bạn đồng ý với việc chúng tôi sử dụng cookie.Chính sách bảo mật