Tin tức trong ngành

Bài viết này chủ yếu mô tả triển vọng ứng dụng rộng của gốm silicon cacbua. Nó cũng tập trung vào việc phân tích các nguyên nhân của các vết nứt thiêu kết trong gốm silicon cacbua và các giải pháp tương ứng.

Công nghệ khắc trong sản xuất chất bán dẫn thường gặp các vấn đề như hiệu ứng tải, hiệu ứng rãnh vi mô và hiệu ứng sạc, ảnh hưởng đến chất lượng sản phẩm. Các giải pháp cải tiến bao gồm tối ưu hóa mật độ plasma, điều chỉnh thành phần khí phản ứng, nâng cao hiệu suất hệ thống chân không, thiết kế bố cục in thạch bản hợp lý, lựa chọn vật liệu mặt nạ khắc và điều kiện xử lý phù hợp.

Thiêu kết ép nóng là phương pháp chính để chuẩn bị gốm sic hiệu suất cao. Quá trình thiêu kết ép nóng bao gồm: chọn bột sic tinh khiết cao, nhấn và đúc dưới nhiệt độ cao và áp suất cao, sau đó thiêu kết. Gốm sic được điều chế bằng phương pháp này có những ưu điểm của độ tinh khiết và mật độ cao, và được sử dụng rộng rãi trong các đĩa mài và thiết bị xử lý nhiệt để xử lý wafer.

Các phương pháp tăng trưởng chính của silicon Carbide (SiC) bao gồm PVT, TSSG và HTCVD, mỗi phương pháp đều có những ưu điểm và thách thức riêng biệt. Các vật liệu trường nhiệt dựa trên carbon như hệ thống cách nhiệt, nồi nấu kim loại, lớp phủ TaC và than chì xốp tăng cường sự phát triển của tinh thể bằng cách mang lại sự ổn định, độ dẫn nhiệt và độ tinh khiết, cần thiết cho việc chế tạo và ứng dụng chính xác của SiC.

SiC có độ cứng cao, tính dẫn nhiệt và khả năng chống ăn mòn, khiến nó trở nên lý tưởng cho sản xuất chất bán dẫn. Lớp phủ CVD SiC được tạo ra thông qua quá trình lắng đọng hơi hóa học, mang lại độ dẫn nhiệt cao, độ ổn định hóa học và hằng số mạng phù hợp cho sự phát triển của epiticular. Độ giãn nở nhiệt thấp và độ cứng cao của nó đảm bảo độ bền và độ chính xác, khiến nó trở nên cần thiết trong các ứng dụng như vật mang bán dẫn wafer, vòng gia nhiệt trước, v.v. VeTek Semiconductor chuyên về lớp phủ SiC tùy chỉnh cho các nhu cầu đa dạng của ngành.