Tin tức trong ngành

​Sự tăng trưởng PVT bằng silicon cacbua (SiC) liên quan đến chu kỳ nhiệt nghiêm trọng (nhiệt độ phòng trên 2200 oC). Ứng suất nhiệt rất lớn được tạo ra giữa lớp phủ và chất nền than chì do sự không phù hợp về hệ số giãn nở nhiệt (CTE) là thách thức cốt lõi quyết định tuổi thọ của lớp phủ và độ tin cậy của ứng dụng.

Trong quá trình tăng trưởng tinh thể PVT silicon cacbua (SiC), độ ổn định và tính đồng nhất của trường nhiệt quyết định trực tiếp tốc độ tăng trưởng tinh thể, mật độ khuyết tật và tính đồng nhất của vật liệu. Là ranh giới của hệ thống, các thành phần trường nhiệt thể hiện các đặc tính vật lý nhiệt bề mặt có dao động nhẹ được khuếch đại đáng kể trong điều kiện nhiệt độ cao, cuối cùng dẫn đến sự mất ổn định ở giao diện tăng trưởng.

Trong quá trình phát triển tinh thể cacbua silic (SiC) thông qua phương pháp Vận chuyển hơi vật lý (PVT), nhiệt độ cực cao 2000–2500 °C là “con dao hai lưỡi” — trong khi thúc đẩy quá trình thăng hoa và vận chuyển vật liệu nguồn, nó cũng tăng cường đáng kể sự giải phóng tạp chất khỏi tất cả vật liệu trong hệ thống trường nhiệt, đặc biệt là các nguyên tố kim loại vi lượng có trong các thành phần vùng nóng than chì thông thường. Một khi các tạp chất này xâm nhập vào bề mặt tăng trưởng, chúng sẽ trực tiếp làm hỏng chất lượng lõi của tinh thể. Đây là lý do cơ bản tại sao lớp phủ tantalum cacbua (TaC) đã trở thành “lựa chọn bắt buộc” thay vì “lựa chọn tùy chọn” cho sự phát triển của tinh thể PVT.