Tin tức trong ngành

Bốn nhà sản xuất than chì mạnh nhất trên thế giới: SGL, Toyo Tanso, Tokai Carbon, Mersen và các khu vực ứng dụng và than chì điển hình tương ứng của họ.

Bài báo mô tả các tính chất vật lý tuyệt vời của cảm giác carbon, những lý do cụ thể để chọn lớp phủ SIC, và phương pháp và nguyên tắc của lớp phủ SIC trên cảm giác carbon. Nó cũng phân tích cụ thể việc sử dụng nhiễu xạ tia X (XRD) trước D8 để phân tích thành phần pha của cảm giác carbon phủ SIC.

Các phương pháp chính để phát triển các tinh thể đơn SIC là: vận chuyển hơi vật lý (PVT), lắng đọng hơi hóa học nhiệt độ cao (HTCVD) và tăng trưởng dung dịch nhiệt độ cao (HTSG).

Với sự phát triển của ngành công nghiệp quang điện mặt trời, lò khuếch tán và lò LPCVD là thiết bị chính để sản xuất pin mặt trời, ảnh hưởng trực tiếp đến hiệu suất hiệu quả của pin mặt trời. Dựa trên hiệu suất sản phẩm toàn diện và chi phí sử dụng, vật liệu gốm silicon cacbua có nhiều lợi thế hơn trong lĩnh vực pin mặt trời so với vật liệu thạch anh. Việc áp dụng các vật liệu gốm silicon cacbua trong ngành công nghiệp quang điện có thể giúp các doanh nghiệp quang điện giảm chi phí đầu tư vật liệu phụ trợ, cải thiện chất lượng sản phẩm và khả năng cạnh tranh. Xu hướng trong tương lai của vật liệu gốm silicon cacbua trong trường quang điện chủ yếu hướng đến độ tinh khiết cao hơn, khả năng chịu tải mạnh hơn, khả năng tải cao hơn và chi phí thấp hơn.

Bài báo phân tích những thách thức cụ thể mà quá trình phủ TAC TAC phải đối mặt đối với sự phát triển tinh thể đơn SIC trong quá trình xử lý chất bán dẫn, như nguồn vật liệu và kiểm soát độ tinh khiết, tối ưu hóa tham số quá trình, bám dính, bảo trì thiết bị và bảo vệ môi trường và kiểm soát chi phí, như cũng như các giải pháp công nghiệp tương ứng.

Từ góc độ ứng dụng của sự tăng trưởng tinh thể đơn SIC, bài viết này so sánh các thông số vật lý cơ bản của lớp phủ TAC và lớp phủ SIC, và giải thích các lợi thế cơ bản của lớp phủ TAC trên lớp phủ SIC về khả năng chống nhiệt độ cao, ổn định hóa học mạnh, giảm tạp chất và chi phí thấp hơn.

Có nhiều loại thiết bị đo lường trong nhà máy FAB. Thiết bị phổ biến bao gồm thiết bị đo quy trình in thạch bản, thiết bị đo quy trình khắc, thiết bị đo quy trình lắng đọng màng mỏng, thiết bị đo lường quy trình pha tạp, thiết bị đo quy trình CMP, thiết bị phát hiện hạt wafer và các thiết bị đo lường khác.

Lớp phủ cacbua tantalum (TAC) có thể kéo dài đáng kể tuổi thọ của các bộ phận than chì bằng cách cải thiện khả năng chống nhiệt độ cao, khả năng chống ăn mòn, tính chất cơ học và khả năng quản lý nhiệt. Đặc điểm độ tinh khiết cao của nó làm giảm ô nhiễm tạp chất, cải thiện chất lượng tăng trưởng tinh thể và tăng cường hiệu quả năng lượng. Nó phù hợp cho sản xuất chất bán dẫn và các ứng dụng tăng trưởng tinh thể trong môi trường nhiệt độ cao, có tính ăn mòn cao.

Lớp phủ Tantalum cacbua (TAC) được sử dụng rộng rãi trong trường bán dẫn, chủ yếu cho các thành phần lò phản ứng tăng trưởng epiticular, các thành phần khóa tăng trưởng tinh thể đơn, các thành phần công nghiệp nhiệt độ cao, hệ thống MOCVD nóng và chất dẫn điện.

Trong quá trình tăng trưởng epiticular SIC, sự cố huyền phù than chì được phủ SIC có thể xảy ra. Bài viết này tiến hành một phân tích nghiêm ngặt về hiện tượng thất bại của huyền phù than chì SIC, chủ yếu bao gồm hai yếu tố: lỗi khí epiticular sic và lỗi phủ SIC.

Bài viết này chủ yếu thảo luận về những ưu điểm và sự khác biệt của quy trình tương ứng của quy trình Epit Wax chùm phân tử và công nghệ lắng đọng hơi hóa học hữu cơ kim loại.

Carbide xốp xốp của chất bán dẫn, như một thế hệ mới của vật liệu tăng trưởng tinh thể SIC, có nhiều đặc tính sản phẩm tuyệt vời và đóng vai trò chính trong nhiều công nghệ xử lý bán dẫn.

Nguyên lý làm việc của lò epiticular là lắng đọng vật liệu bán dẫn trên đế dưới nhiệt độ cao và áp suất cao. Tăng trưởng epiticular silicon là phát triển một lớp tinh thể có cùng hướng tinh thể với chất nền và độ dày khác nhau trên đế đơn tinh thể silicon có hướng tinh thể nhất định. Bài viết này chủ yếu giới thiệu các phương pháp tăng trưởng epiticular silicon: epitaxy pha hơi và epitaxy pha lỏng.

Lắng đọng hơi hóa học (CVD) trong sản xuất chất bán dẫn được sử dụng để lắng đọng các vật liệu màng mỏng trong buồng, bao gồm SiO2, SiN, v.v., và các loại thường được sử dụng bao gồm PECVD và LPCVD. Bằng cách điều chỉnh nhiệt độ, áp suất và loại khí phản ứng, CVD đạt được độ tinh khiết cao, tính đồng nhất và độ phủ màng tốt để đáp ứng các yêu cầu quy trình khác nhau.

Bài viết này chủ yếu mô tả triển vọng ứng dụng rộng của gốm silicon cacbua. Nó cũng tập trung vào việc phân tích các nguyên nhân của các vết nứt thiêu kết trong gốm silicon cacbua và các giải pháp tương ứng.