Sic Lớp phủ Ald M cảm

Nó bán dẫnSic Lớp phủ Ald M cảmđóng vai trò quan trọng trong lắng đọng lớp nguyên tử (Ald) quá trình. Kiểm soát nhiệt độ chính xác của nó, phân phối khí đồng nhất, điện trở hóa học cao và độ dẫn nhiệt tuyệt vời đảm bảo tính đồng nhất và chất lượng cao của quá trình lắng đọng màng. Nếu bạn muốn biết thêm, bạn có thể tham khảo ý kiến ​​của chúng tôi ngay lập tức và chúng tôi sẽ trả lời bạn kịp thời!

Kiểm soát nhiệt độ chính xác:

Sic Lớp phủ ALD ALD thường có hệ thống kiểm soát nhiệt độ chính xác cao. Nó có thể duy trì một môi trường nhiệt độ đồng đều trong suốt quá trình lắng đọng, điều này rất quan trọng để đảm bảo tính đồng nhất và chất lượng của bộ phim.

Phân phối khí đồng nhất:

Thiết kế tối ưu hóa của bộ cảm ứng ALD lớp phủ SIC đảm bảo sự phân bố khí đồng đều trong quá trình lắng đọng ALD. Cấu trúc của nó thường bao gồm nhiều bộ phận quay hoặc chuyển động để thúc đẩy độ bao phủ đồng đều của các khí phản ứng trên toàn bộ bề mặt wafer.

Điện trở hóa học cao:

Do quá trình ALD liên quan đến nhiều loại khí hóa học, SIC Lớp phủ ALD thường được làm bằng các vật liệu chống ăn mòn (như bạch kim, gốm sứ hoặc thạch anh có độ tinh khiết cao) để chống lại sự xói mòn của khí hóa học và ảnh hưởng của môi trường nhiệt độ cao.

Độ dẫn nhiệt tuyệt vời:

Để tiến hành nhiệt hiệu quả và duy trì nhiệt độ lắng đọng ổn định, các chất nhạy cảm ALD lớp phủ SIC thường sử dụng vật liệu dẫn nhiệt cao. Điều này giúp tránh quá nóng địa phương và lắng đọng không đồng đều.

Tính chất vật lý cơ bản của lớp phủ CVD sic:

Cửa hàng sản xuất:

Tổng quan về chuỗi ngành công nghiệp epitaxy chip bán dẫn：