Các sản phẩm
Vòng định tâm silicon cacbua rắn
  • Vòng định tâm silicon cacbua rắnVòng định tâm silicon cacbua rắn

Vòng định tâm silicon cacbua rắn

Vòng tập trung Veteksemian Solid Silicon Carbide (SiC) là một thành phần tiêu hao quan trọng được sử dụng trong các quy trình khắc plasma và epitaxy bán dẫn tiên tiến, trong đó việc kiểm soát chính xác sự phân bố plasma, độ đồng đều nhiệt và hiệu ứng cạnh wafer là điều cần thiết. Được sản xuất từ ​​cacbua silic rắn có độ tinh khiết cao, vòng lấy nét này thể hiện khả năng chống xói mòn plasma đặc biệt, độ ổn định ở nhiệt độ cao và độ trơ hóa học, mang lại hiệu suất đáng tin cậy trong các điều kiện xử lý khắc nghiệt. Chúng tôi mong muốn yêu cầu của bạn.

Vòng tập trung cacbua silic rắn Veteksemian là thành phần then chốt trong sản xuất chất bán dẫn, được đặt ở vị trí chiến lược bên ngoài tấm bán dẫn để duy trì tiếp xúc trực tiếp. Bằng cách sử dụng điện áp đặt vào, vòng này tập trung plasma đi qua nó, từ đó nâng cao tính đồng nhất của quy trình trên tấm bán dẫn. Được chế tạo hoàn toàn từ Silicon Carbide lắng đọng hơi hóa học (CVD SiC), vòng lấy nét này thể hiện những phẩm chất đặc biệt mà ngành công nghiệp bán dẫn yêu cầu. Tại Veteksemiaon, chúng tôi chuyên sản xuất và cung cấp Vòng lấy nét cacbua silic rắn hiệu suất cao, kết hợp chất lượng cao cấp với hiệu quả chi phí.


Ưu điểm sản phẩm

So với truyền thốngVòng lấy nét bằng Silicon (Si) hoặc Silicon Carbide (Sintered SiC), sản phẩm của chúng tôi vượt trội về các kích thước chính:


Kích thước tính năng
Vòng lấy nét Veteksemiaon CVD SiC
Vòng lấy nét Silicon (Si) truyền thống
Vòng lấy nét SiC thiêu kết
Khả năng chống ăn mòn huyết tương
Đặc biệt (Tỷ lệ tiêu thụ thấp hơn đáng kể so với Si)
Kém (Tiêu thụ nhanh, thay thế thường xuyên)
Trung bình (Tốt hơn Si, nhưng kém hơn CVD SiC)
Kiểm soát thế hệ hạt
Đặc biệt (Cấu trúc CVD dày đặc, không có giao diện thành bên mỏng manh)
Có thể kiểm soát được (Nhưng bản thân mức tiêu thụ nguyên liệu là nguồn hạt)
Tương đối cao hơn (Do độ xốp của vật liệu và các hạt vi mô tiềm năng)
Độ dẫn điện và kết hợp điện
Tuyệt vời (Kết hợp điện tốt với wafer)
Tốt
Tốt
Quản lý nhiệt
Tuyệt vời (Độ dẫn nhiệt cao, CTE thấp, khả năng chống sốc nhiệt vượt trội)
Vừa phải
Tốt
Sức mạnh cơ học & Tuổi thọ sử dụng
Đặc biệt dài (Độ cứng cao, chống mài mòn và ăn mòn)
Ngắn
Dài
Tổng chi phí sở hữu (TCO)
Thấp hơn (Tuổi thọ siêu dài giúp giảm thời gian ngừng hoạt động để thay thế và cải thiện năng suất)
Cao
Vừa phải

Đáng chú ý, độ dẫn điện và khả năng chống ăn mòn ion của cacbua silic gần giống với silicon, đảm bảo khả năng tương thích với các quy trình sản xuất chất bán dẫn hiện có đồng thời mang lại hiệu suất nâng cao—làm cho Vòng tập trung cacbua silic rắn Veteksemian trở thành lựa chọn vật liệu lý tưởng cho ứng dụng quan trọng này.


Vòng tập trung cacbua silic rắn Veteksemian là giải pháp tiên tiến trong lĩnh vực sản xuất chất bán dẫn. Nó tận dụng triệt để những ưu điểm vật liệu độc đáo của  CVD SiC để tạo điều kiện thuận lợi cho các quy trình ăn mòn đáng tin cậy, độ chính xác cao và hiệu quả cao, góp phần đáng kể vào sự tiến bộ của công nghệ bán dẫn thế hệ tiếp theo.


Veteksemicon-products-warehouse

Thẻ nóng: Vòng định tâm silicon cacbua rắn
Gửi yêu cầu
Thông tin liên lạc
  • Địa chỉ

    Đường Wangda, phố Ziyang, huyện Wuyi, thành phố Kim Hoa, tỉnh Chiết Giang, Trung Quốc

  • điện thoại

    +86-18069220752

Nếu có thắc mắc về Lớp phủ silicon cacbua, Lớp phủ cacbua Tantalum, Than chì đặc biệt hoặc bảng giá, vui lòng để lại email của bạn cho chúng tôi và chúng tôi sẽ liên hệ trong vòng 24 giờ.
X
Chúng tôi sử dụng cookie để cung cấp cho bạn trải nghiệm duyệt web tốt hơn, phân tích lưu lượng truy cập trang web và cá nhân hóa nội dung. Bằng cách sử dụng trang web này, bạn đồng ý với việc chúng tôi sử dụng cookie. Chính sách bảo mật
Từ chối Chấp nhận