Các sản phẩm
Nhẫn tập trung khắc sic rắn
  • Nhẫn tập trung khắc sic rắnNhẫn tập trung khắc sic rắn
  • Nhẫn tập trung khắc sic rắnNhẫn tập trung khắc sic rắn
  • Nhẫn tập trung khắc sic rắnNhẫn tập trung khắc sic rắn

Nhẫn tập trung khắc sic rắn

Vòng lấy nét khắc SiC rắn là một trong những thành phần cốt lõi của quá trình khắc wafer, đóng vai trò cố định wafer, tập trung plasma và cải thiện tính đồng nhất của quá trình khắc wafer. Là nhà sản xuất Vòng lấy nét SiC hàng đầu tại Trung Quốc, VeTek Semiconductor có công nghệ tiên tiến và quy trình hoàn thiện, đồng thời sản xuất Vòng lấy nét SiC khắc rắn đáp ứng đầy đủ nhu cầu của khách hàng cuối theo yêu cầu của khách hàng. Chúng tôi rất mong nhận được câu hỏi của bạn và trở thành đối tác lâu dài của nhau.

Chất bán dẫn Vetek đã đạt được tiến bộ lớn trong công nghệ SIC rắn CVD và hiện có thể sản xuất vòng tập trung khắc sic rắn với cấp độ hàng đầu thế giới. Vòng lấy nét sic khắc rắn của Bán dẫn là một sản phẩm vật liệu cacbua silicon cực kỳ cao được tạo ra thông qua quá trình lắng đọng hơi hóa học.

Vòng lấy nét khắc SiC rắn được sử dụng trong quy trình sản xuất chất bán dẫn, đặc biệt là trong hệ thống khắc plasma. Vòng lấy nét SiC là một thành phần quan trọng giúp đạt được quá trình khắc chính xác và có kiểm soát trên các tấm silicon cacbua (SiC).


Trong quá trình khắc plasma, vòng lấy nét đóng nhiều vai trò như sau:

● Tập trung plasma: Vòng lấy nét khắc SiC rắn giúp định hình và tập trung plasma xung quanh tấm bán dẫn, đảm bảo quá trình khắc diễn ra đồng đều và hiệu quả. Nó giúp giới hạn plasma ở khu vực mong muốn, ngăn ngừa sự ăn mòn đi lạc hoặc làm hỏng các khu vực xung quanh.

●  Bảo vệ các bức tường buồng: Vòng lấy nét hoạt động như một rào cản giữa plasma và thành buồng, ngăn chặn sự tiếp xúc trực tiếp và nguy cơ hư hỏng. SiC có khả năng chống xói mòn plasma cao và mang lại sự bảo vệ tuyệt vời cho thành buồng.

●  TKiểm soát EMPERATURE: Các vòng tập trung SIC hỗ trợ duy trì phân phối nhiệt độ đồng đều trên wafer trong quá trình khắc. Nó giúp tiêu tan nhiệt và ngăn ngừa độ dốc quá nhiệt hoặc nhiệt có thể ảnh hưởng đến kết quả khắc.


Solid SiC Etching Focusing Ring in Plasma Etching Equipment


SiC rắn được chọn làm vòng lấy nét do tính ổn định nhiệt và hóa học vượt trội, độ bền cơ học cao và khả năng chống ăn mòn plasma. Những đặc tính này làm cho SiC trở thành vật liệu phù hợp với các điều kiện khắc nghiệt và đòi hỏi khắt khe bên trong hệ thống khắc plasma.


Điều đáng chú ý là thiết kế và thông số kỹ thuật của các vòng tập trung có thể thay đổi tùy thuộc vào hệ thống khắc plasma cụ thể và các yêu cầu xử lý. Chất bán dẫn Vetek tối ưu hóa hình dạng, kích thước và đặc điểm bề mặt của các vòng tập trung để đảm bảo hiệu suất khắc tối ưu và tuổi thọ. SIC rắn được sử dụng rộng rãi cho các chất mang wafer, bộ nhớ, wafer giả, vòng hướng dẫn, các bộ phận cho quá trình khắc, quy trình CVD, v.v.


Thông số sản phẩm của Vòng lấy nét khắc SiC rắn


Tính chất vật lý của sic rắn
Tỉ trọng 3.21 g/cm3
Điện trở suất 102 Ω/cm
Độ bền uốn 590 MPa (6000kgf/cm2)
Mô đun Young 450 GPA (6000kgf/mm2)
Độ cứng Vickers 26 GPA (2650kgf/mm2)
CTE (RT-1000oC) 4.0 x10-6/K
Độ dẫn nhiệt (RT) 250 W/mK


Đại lý bán dẫn


Veteksemi Solid SiC Etching Focusing Ring shops


Thẻ nóng: Vòng lấy nét khắc SiC rắn
Gửi yêu cầu
Thông tin liên lạc
  • Địa chỉ

    Đường Wangda, đường Ziyang, Hạt Wuyi, Thành phố Jinhua, Tỉnh Chiết Giang, Trung Quốc

  • điện thoại/

    +86-18069220752

Nếu có thắc mắc về Lớp phủ silicon cacbua, Lớp phủ cacbua Tantalum, Than chì đặc biệt hoặc bảng giá, vui lòng để lại email của bạn cho chúng tôi và chúng tôi sẽ liên hệ trong vòng 24 giờ.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept