Tin tức

Trong thời đại phát triển công nghệ nhanh chóng, in 3D, như một đại diện quan trọng của công nghệ sản xuất tiên tiến, đang dần thay đổi bộ mặt của sản xuất truyền thống. Với sự trưởng thành liên tục của công nghệ và giảm chi phí, công nghệ in 3D đã cho thấy triển vọng ứng dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực như hàng không vũ trụ, sản xuất ô tô, thiết bị y tế và thiết kế kiến ​​trúc, và đã thúc đẩy sự đổi mới và phát triển của các ngành công nghiệp này.

Chỉ riêng vật liệu đơn tinh thể không thể đáp ứng nhu cầu sản xuất ngày càng tăng của các thiết bị bán dẫn khác nhau. Vào cuối năm 1959, một lớp mỏng công nghệ tăng trưởng vật liệu đơn tinh thể - tăng trưởng epiticular đã được phát triển.

Carbide silicon là một trong những vật liệu lý tưởng để tạo ra các thiết bị nhiệt độ cao, tần số cao, công suất cao và điện áp cao. Để cải thiện hiệu quả sản xuất và giảm chi phí, việc chuẩn bị chất nền cacbua silicon có kích thước lớn là một hướng phát triển quan trọng.

Theo tin tức ở nước ngoài, hai nguồn tin tiết lộ vào ngày 24 tháng 6 rằng Bytedance đang hợp tác với công ty thiết kế chip của Hoa Kỳ và Hoa Kỳ.

Là nhà sản xuất hàng đầu trong ngành SiC, động lực liên quan đến Sanan Optoelectronics đã nhận được sự chú ý rộng rãi trong ngành. Gần đây, Sanan Optoelectronics đã tiết lộ một loạt phát triển mới nhất, liên quan đến chuyển đổi 8 inch, sản xuất nhà máy chất nền mới, thành lập công ty mới, trợ cấp của chính phủ và các khía cạnh khác.

Trong sự phát triển của các tinh thể đơn SiC và ALN bằng phương pháp vận chuyển hơi vật lý (PVT), các thành phần quan trọng như nồi nấu kim loại, giá đỡ hạt giống và vòng hướng dẫn đóng vai trò quan trọng. Như được mô tả trong Hình 2 [1], trong quá trình PVT, tinh thể hạt được định vị ở vùng nhiệt độ thấp hơn, trong khi nguyên liệu SIC SIC tiếp xúc với nhiệt độ cao hơn (trên 2400).