Tấm gốm xốp sic

Tấm gốm sic xốp là một vật liệu gốm cấu trúc xốp làm bằngCarbide siliconLà thành phần chính và kết hợp với một quá trình thiêu kết đặc biệt. Độ xốp của nó có thể điều chỉnh (thường là 30%-70%), phân bố kích thước lỗ rỗng là đồng đều, nó có điện trở nhiệt độ cao tuyệt vời, độ ổn định hóa học và tính thấm khí tuyệt vời, và được sử dụng rộng rãi trong sản xuất chất bán dẫn, lắng đọng hơi hóa học (CVD), lọc khí nhiệt độ cao và các lĩnh vực khác.

Và để biết thêm thông tin về tấm gốm sic xốp, vui lòng xem blog này.

Đĩa gốm sic xốpTính chất vật lý tuyệt vời

● Điện trở nhiệt độ cao cực cao:

Điểm nóng chảy của gốm sic cao tới 2700 ° C, và nó vẫn có thể duy trì độ ổn định cấu trúc trên 1600 ° C, vượt xa gốm alumina truyền thống (khoảng 2000 ° C), đặc biệt phù hợp với các quá trình nhiệt độ cao bán dẫn.

● Hiệu suất quản lý nhiệt tuyệt vời:

Độ dẫn nhiệt cao: Độ dẫn nhiệt của sic dày đặc là khoảng 120 W/(m · k). Mặc dù cấu trúc xốp làm giảm một chút độ dẫn nhiệt, nhưng nó vẫn tốt hơn đáng kể so với hầu hết các loại gốm và hỗ trợ tản nhiệt hiệu quả.

Hệ số giãn nở nhiệt thấp (4.0 × 10⁻⁶/° C): Hầu như không có biến dạng ở nhiệt độ cao, tránh sự cố thiết bị do ứng suất nhiệt.

● Tính ổn định hóa học tuyệt vời

Khả năng chống ăn mòn axit và kiềm (đặc biệt là nổi bật trong môi trường HF), kháng oxy hóa nhiệt độ cao, phù hợp cho môi trường khắc nghiệt như khắc và làm sạch.

● Tính chất cơ học nổi bật

Độ cứng cao (độ cứng MOHS 9.2, chỉ đứng sau kim cương), khả năng chống mài mòn mạnh.

Sức mạnh uốn có thể đạt 300-400 MPa và thiết kế cấu trúc lỗ rỗng có tính đến cả sức mạnh nhẹ và cơ học.

● Cấu trúc xốp có chức năng

Diện tích bề mặt riêng cao: Tăng cường hiệu quả khuếch tán khí, phù hợp như một tấm phân phối khí phản ứng.

Độ xốp có thể kiểm soát được: Tối ưu hóa sự xâm nhập và hiệu suất lọc chất lỏng, chẳng hạn như hình thành màng đồng đều trong quá trình CVD.

Vai trò cụ thể trong sản xuất chất bán dẫn

● Hỗ trợ quá trình nhiệt độ cao và cách nhiệt

Là một tấm hỗ trợ wafer, nó được sử dụng trong các thiết bị nhiệt độ cao (> 1200 ° C) như lò khuếch tán và lò nung để tránh ô nhiễm kim loại.

Cấu trúc xốp có cả chức năng cách nhiệt và hỗ trợ, giảm mất nhiệt.

● Phân phối khí đồng đều và kiểm soát phản ứng

Trong thiết bị lắng đọng hơi hóa học (CVD), như một tấm phân phối khí, lỗ chân lông được sử dụng để vận chuyển khí phản ứng đồng đều (như SIH₄, NH₃) để cải thiện tính đồng nhất của lắng đọng màng mỏng.

Trong khắc khô, cấu trúc xốp tối ưu hóa phân phối plasma và cải thiện độ chính xác khắc.

● Các thành phần cốt lõi của Chuck (ESC)

Sic xốp được sử dụng làm chất nền Chuck tĩnh điện, đạt được sự hấp phụ chân không thông qua các micropores, sửa chữa chính xác wafer, và chống lại bắn phá plasma và có tuổi thọ dài.

● Các thành phần chống ăn mòn

Được sử dụng cho lớp lót khoang của thiết bị khắc và làm sạch ướt, nó chống lại sự ăn mòn của các axit mạnh (như H₂so₄, HNO₃) và kiềm mạnh (như KOH).

● Kiểm soát đồng nhất trường nhiệt

Trong các lò tăng trưởng silicon tinh thể đơn (như phương pháp czochralski), như một tấm chắn nhiệt hoặc hỗ trợ, độ ổn định nhiệt cao của nó được sử dụng để duy trì các trường nhiệt đồng đều và giảm các khuyết tật mạng.

● Lọc và thanh lọc

Cấu trúc xốp có thể chặn các chất gây ô nhiễm hạt và được sử dụng trong các hệ thống phân phối khí/chất lỏng cực kỳ mạnh để đảm bảo sự sạch sẽ của quá trình.

Ưu điểm so với các vật liệu truyền thống