Tac Lớp phủ Xoay M cảm

Vetek S bán dẫn TAC Lớp phủ Xoay cảm ứng là một thành phần chính để xử lý wafer trong xử lý chất bán dẫn. Của nóTAC cái gìCủa chúng tôiCó khả năng chịu nhiệt độ cao tuyệt vời (điểm nóng chảy lên tới 3880 ° C), độ ổn định hóa học và khả năng chống ăn mòn, đảm bảo độ chính xác cao và chất lượng cao trong xử lý wafer.

Nhạc cảm biến TAC Lớp phủ TAC (Tantalum Carbon Vòng quay xoay) là một thành phần thiết bị chính được sử dụng trong xử lý chất bán dẫn. Nó thường được cài đặt tronglắng đọng hơi hóa học (CVD)và thiết bị epitaxy dầm phân tử (MBE) để hỗ trợ và xoay bánh để đảm bảo lắng đọng vật liệu đồng đều và phản ứng hiệu quả. Loại sản phẩm này cải thiện đáng kể tuổi thọ và hiệu suất của thiết bị trong môi trường nhiệt độ cao và ăn mòn bằng cách phủ lên chất nền vớilớp phủ carbon tantalum (TAC).

Phân cảm xoay Lớp phủ TAC thường bao gồm lớp phủ TAC và cacbua than chì hoặc silicon làm vật liệu cơ chất. TAC là vật liệu gốm nhiệt độ cực cao với điểm nóng chảy cực cao (điểm nóng chảy lên tới 3880 ° C), độ cứng (độ cứng của Vickers là khoảng 2000 hk) và khả năng chống ăn mòn hóa học tuyệt vời. Chất bán dẫn Vetek có thể bao phủ một cách hiệu quả và đều bao phủ lớp phủ carbon tantalum trên vật liệu cơ chất thông qua công nghệ CVD.

Phương pháp xoay vòng thường được làm bằng độ dẫn nhiệt cao và vật liệu cường độ cao (than chì hoặcCarbide silicon), có thể cung cấp hỗ trợ cơ học tốt và độ ổn định nhiệt trong môi trường nhiệt độ cao. Sự kết hợp hoàn hảo của hai người xác định hiệu suất hoàn hảo của bộ cảm ứng xoay Lớp phủ TAC trong việc hỗ trợ và xoay vòng.

Phân cảm xoay TAC Vòng quay hỗ trợ và xoay wafer trong quá trình CVD. Độ cứng của Vickers của TAC là khoảng 2000 HK, cho phép nó chống lại ma sát lặp đi lặp lại của vật liệu và đóng vai trò hỗ trợ tốt, do đó đảm bảo rằng khí phản ứng được phân phối đều trên bề mặt wafer và vật liệu được lắng đọng đều. Đồng thời, khả năng chịu nhiệt độ cao và khả năng chống ăn mòn của lớp phủ TAC cho phép nó được sử dụng trong một thời gian dài trong nhiệt độ cao và khí quyển ăn mòn, giúp tránh sự ô nhiễm của wafer và chất mang.

Hơn nữa, độ dẫn nhiệt của TAC là 21 W/m · K, có truyền nhiệt tốt. Do đó, bộ cảm ứng xoay lớp phủ TAC có thể làm nóng đồng đều trong điều kiện nhiệt độ cao và đảm bảo tính đồng nhất của quá trình lắng đọng khí thông qua chuyển động quay, do đó duy trì tính nhất quán và chất lượng cao củaWafer tăng trưởng.

Lớp phủ cacbua tantalum (TAC) trên mặt cắt bằng kính hiển vi：

Tính chất vật lý của lớp phủ TAC：

TAC Lớp phủ Xoay M cảm cửa hàng: