Công thức lắng đọng lớp nguyên tử ALD

ALD không gian, lắng đọng lớp nguyên tử bị cô lập trong không gian. Tấm wafer di chuyển giữa các vị trí khác nhau và tiếp xúc với các tiền chất khác nhau ở mỗi vị trí. Hình dưới đây là sự so sánh giữa ALD truyền thống và ALD bị cô lập về mặt không gian.

ALD tạm thời,lắng đọng lớp nguyên tử bị cô lập theo thời gian. Các wafer được cố định và các tiền chất được giới thiệu và loại bỏ xen kẽ trong buồng. Phương pháp này có thể xử lý wafer trong một môi trường cân bằng hơn, do đó cải thiện kết quả, chẳng hạn như kiểm soát tốt hơn phạm vi kích thước quan trọng. Hình dưới đây là một sơ đồ của ALD thời gian.

Dừng van, đóng van. Thường được sử dụng trong，công thức nấu ăn, dùng để đóng van đối với bơm chân không hoặc mở van chặn đối với bơm chân không.

Tiền thân, tiền thân. Hai hoặc nhiều hơn, mỗi phần tử chứa các phần tử của màng lắng đọng mong muốn, được loại bỏ xen kẽ trên bề mặt chất nền, chỉ có một tiền chất tại một thời điểm, không phụ thuộc vào nhau. Mỗi tiền chất bão hòa bề mặt cơ chất để tạo thành một lớp đơn. Tiền thân có thể được nhìn thấy trong hình dưới đây.

Thanh lọc, còn được gọi là thanh lọc. Khí thanh lọc phổ biến, khí thanh lọc.Lắng đọng lớp nguyên tửlà phương pháp lắng đọng màng mỏng trong các lớp nguyên tử bằng cách đặt tuần tự hai hoặc nhiều chất phản ứng vào buồng phản ứng để tạo thành màng mỏng thông qua quá trình phân hủy và hấp phụ của từng chất phản ứng. Nghĩa là, khí phản ứng đầu tiên được cung cấp theo kiểu xung để lắng đọng hóa học bên trong buồng và khí phản ứng đầu tiên còn sót lại liên kết vật lý được loại bỏ bằng cách làm sạch. Sau đó, khí phản ứng thứ hai cũng hình thành liên kết hóa học với khí phản ứng thứ nhất một phần thông qua quá trình xung và thanh lọc, từ đó lắng đọng màng mong muốn trên chất nền. Thanh lọc có thể được nhìn thấy trong hình dưới đây.

Xe đạp. Trong quá trình lắng đọng lớp nguyên tử, thời gian cho mỗi khí phản ứng được xung và thanh lọc một lần được gọi là một chu kỳ.

Epitaxy lớp nguyên tử.Một thuật ngữ khác cho lắng đọng lớp nguyên tử.

Trimethylaluminum, viết tắt là TMA, trimethylaluminum. Trong lắng đọng lớp nguyên tử, TMA thường được sử dụng làm tiền chất để tạo thành Al2O3. Thông thường, TMA và H2O tạo thành Al2O3. Ngoài ra, TMA và O3 tạo thành Al2O3. Hình dưới đây là sơ đồ lắng đọng lớp nguyên tử Al2O3, sử dụng TMA và H2O làm tiền chất.

3-aminopropyltriethoxysilane, được gọi là aptes, 3-aminopropyltrimethoxysilane. TRONGlắng đọng lớp nguyên tử, APTES thường được dùng làm tiền chất để tạo thành SiO2. Thông thường, APTES, O3 và H2O tạo thành SiO2. Hình dưới đây là sơ đồ của APTES.