Các sản phẩm
Chất mang wafer phủ SiC
  • Chất mang wafer phủ SiCChất mang wafer phủ SiC

Chất mang wafer phủ SiC

Là nhà sản xuất và cung cấp chất mang wafer phủ SiC chuyên nghiệp, chất mang wafer phủ SiC của Vetek Semiconductor chủ yếu được sử dụng để cải thiện tính đồng nhất tăng trưởng của lớp epiticular, đảm bảo tính ổn định và toàn vẹn của chúng trong môi trường ăn mòn và nhiệt độ cao.

Vetek Semiconductor chuyên sản xuất và cung cấp các chất mang bán dẫn phủ SiC hiệu suất cao và cam kết cung cấp các giải pháp sản phẩm và công nghệ tiên tiến cho ngành bán dẫn.


Trong sản xuất chất bán dẫn, chất mang bán dẫn phủ SiC của Vetek Semiconductor là thành phần chính trong thiết bị lắng đọng hơi hóa học (CVD), đặc biệt là trong thiết bị lắng đọng hơi hóa học hữu cơ kim loại (MOCVD). Nhiệm vụ chính của nó là hỗ trợ và làm nóng lớp nền đơn tinh thể để lớp epitaxy có thể phát triển đồng đều. Điều này rất cần thiết để sản xuất các thiết bị bán dẫn chất lượng cao.


Khả năng chống ăn mòn của lớp phủ SiC rất tốt, có thể bảo vệ hiệu quả nền than chì khỏi khí ăn mòn. Điều này đặc biệt quan trọng trong môi trường nhiệt độ cao và ăn mòn. Ngoài ra, khả năng dẫn nhiệt của vật liệu SiC cũng rất tuyệt vời, có thể dẫn nhiệt đều và đảm bảo phân bố nhiệt độ đồng đều, từ đó cải thiện chất lượng tăng trưởng của vật liệu epiticular.


Lớp phủ SiC duy trì sự ổn định hóa học ở nhiệt độ cao và môi trường ăn mòn, tránh vấn đề hư hỏng lớp phủ. Quan trọng hơn, hệ số giãn nở nhiệt của SiC tương tự như than chì, có thể tránh được vấn đề bong tróc lớp phủ do giãn nở và co lại nhiệt, đồng thời đảm bảo độ ổn định và độ tin cậy lâu dài của lớp phủ.


Tính chất vật lý cơ bản củaChất mang wafer phủ SiC:


Tính chất vật lý cơ bản của lớp phủ CVD SiC
Tài sản
Giá trị điển hình
Cấu trúc tinh thể
FCC đa tinh thể pha β, chủ yếu định hướng (111)
Tỉ trọng
3,21 g/cm³
độ cứng
Độ cứng 2500 Vickers (tải 500g)
Kích thước hạt
2 ~ 10μm
Độ tinh khiết hóa học
99,99995%
Công suất nhiệt
640 J·kg-1·K-1
Nhiệt độ thăng hoa
2700oC
Độ bền uốn
415 MPa RT 4 điểm
Mô đun của Young
Uốn cong 430 Gpa 4pt, 1300oC
Độ dẫn nhiệt
300W·m-1·K-1
Mở rộng nhiệt (CTE)
4,5×10-6K-1


Cửa hàng sản xuất:

VeTek Semiconductor Production Shop


Tổng quan về chuỗi công nghiệp epitaxy chip bán dẫn:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


Thẻ nóng: Chất mang wafer phủ SiC, chất mang wafer silicon cacbua, hỗ trợ wafer bán dẫn
Gửi yêu cầu
Thông tin liên lạc
  • Địa chỉ

    Đường Wangda, phố Ziyang, huyện Wuyi, thành phố Kim Hoa, tỉnh Chiết Giang, Trung Quốc

  • điện thoại

    +86-18069220752

Nếu có thắc mắc về Lớp phủ silicon cacbua, Lớp phủ cacbua Tantalum, Than chì đặc biệt hoặc bảng giá, vui lòng để lại email của bạn cho chúng tôi và chúng tôi sẽ liên hệ trong vòng 24 giờ.
X
Chúng tôi sử dụng cookie để cung cấp cho bạn trải nghiệm duyệt web tốt hơn, phân tích lưu lượng truy cập trang web và cá nhân hóa nội dung. Bằng cách sử dụng trang web này, bạn đồng ý với việc chúng tôi sử dụng cookie.Chính sách bảo mật
Từ chốiChấp nhận