Tin tức trong ngành

Các phương pháp chính để phát triển các tinh thể đơn SIC là: vận chuyển hơi vật lý (PVT), lắng đọng hơi hóa học nhiệt độ cao (HTCVD) và tăng trưởng dung dịch nhiệt độ cao (HTSG).

Với sự phát triển của ngành công nghiệp quang điện mặt trời, lò khuếch tán và lò LPCVD là thiết bị chính để sản xuất pin mặt trời, ảnh hưởng trực tiếp đến hiệu suất hiệu quả của pin mặt trời. Dựa trên hiệu suất sản phẩm toàn diện và chi phí sử dụng, vật liệu gốm silicon cacbua có nhiều lợi thế hơn trong lĩnh vực pin mặt trời so với vật liệu thạch anh. Việc áp dụng các vật liệu gốm silicon cacbua trong ngành công nghiệp quang điện có thể giúp các doanh nghiệp quang điện giảm chi phí đầu tư vật liệu phụ trợ, cải thiện chất lượng sản phẩm và khả năng cạnh tranh. Xu hướng trong tương lai của vật liệu gốm silicon cacbua trong trường quang điện chủ yếu hướng đến độ tinh khiết cao hơn, khả năng chịu tải mạnh hơn, khả năng tải cao hơn và chi phí thấp hơn.

Bài báo phân tích những thách thức cụ thể mà quá trình phủ TAC TAC phải đối mặt đối với sự phát triển tinh thể đơn SIC trong quá trình xử lý chất bán dẫn, như nguồn vật liệu và kiểm soát độ tinh khiết, tối ưu hóa tham số quá trình, bám dính, bảo trì thiết bị và bảo vệ môi trường và kiểm soát chi phí, như cũng như các giải pháp công nghiệp tương ứng.