SIC lớp phủ than chì cho MOCVD

Chất nhạy cảm than chì phủ SiC của VeTek Semiconductor dành cho MOCVD là chất mang than chì được phủ SiC có độ tinh khiết cao, được thiết kế đặc biệt để phát triển lớp epiticular trên chip wafer. Là thành phần trung tâm trong quá trình xử lý MOCVD, thường có hình dạng bánh răng hoặc vòng, nó có khả năng chịu nhiệt và chống ăn mòn đặc biệt, đảm bảo sự ổn định trong môi trường khắc nghiệt.

Các tính năng chính của MOCVD SIC Lớp phủ than chì than chì:

● Lớp phủ chống vảy: Đảm bảo vùng phủ sóng SIC đồng nhất trên tất cả các bề mặt, giảm nguy cơ tách hạt

●   Khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao tuyệt vờice: Vẫn ổn định ở nhiệt độ lên tới 1600 ° C

●   Độ tinh khiết cao: Được sản xuất thông qua quá trình lắng đọng hơi hóa học CVD, thích hợp với điều kiện clo hóa ở nhiệt độ cao

● Khả năng chống ăn mòn vượt trội: Khả năng chống axit, kiềm, muối và thuốc thử hữu cơ cao

● Mô hình luồng không khí laminar được tối ưu hóa: Tăng cường tính đồng nhất của động lực học khí

●   Phân phối nhiệt đồng đều: Đảm bảo phân phối nhiệt ổn định trong các quá trình nhiệt độ cao

● Phòng ngừa ô nhiễm: Ngăn ngừa khuếch tán các chất gây ô nhiễm hoặc tạp chất, đảm bảo sự sạch sẽ của wafer

Tại VeTek Semiconductor, chúng tôi tuân thủ các tiêu chuẩn chất lượng nghiêm ngặt, cung cấp các sản phẩm và dịch vụ đáng tin cậy cho khách hàng. Chúng tôi chỉ chọn những vật liệu cao cấp, cố gắng đáp ứng và vượt qua các yêu cầu về hiệu suất của ngành. Chất nhạy cảm bằng than chì phủ SiC dành cho MOCVD của chúng tôi minh họa cho cam kết về chất lượng này. Hãy liên hệ với chúng tôi để tìm hiểu thêm về cách chúng tôi có thể hỗ trợ nhu cầu xử lý tấm bán dẫn của bạn.

CVD SIC Film Crystal Cấu trúc:

Tính chất vật lý cơ bản của lớp phủ CVD sic:

Nó bán dẫn MOCVD Thụ thể than chì phủ SiC: