Tấm wafer nhôm Nitride (AlN)

1. Các tính năng và ưu điểm chính

• Khoảng cách cực rộng ≈ 6,2 eV — cao nhất trong số các vật liệu bán dẫn phổ thông

• Độ dẫn nhiệt cao ≈ 320 W/m·K giúp tản nhiệt hiệu quả

• Cách điện tuyệt vời (>10¹³ Ω·cm) và trường đánh thủng cao (12–15 MV/cm)

• Mạng tinh thể tốt và độ giãn nở nhiệt phù hợp với GaN — lý tưởng cho các cấu trúc dị thể GaN-on-AlN

• Tùy chọn mật độ trật khớp thấp với khả năng kiểm soát đường cong rung chuyển HR-XRD chặt chẽ

• Al-face CMP (Ra ≤ 0,5 nm) và N-face MP cho các bề mặt sẵn sàng epi

• Nhiều kích cỡ và cấp chất lượng (P / R / D) để phù hợp với yêu cầu sản xuất và nghiên cứu

2. Ứng dụng điển hình

• Thiết bị RF công suất cao dành cho radar và liên lạc 6G

• Điện tử công suất cao cho lưới điện, trung tâm dữ liệu và xe điện

• Đèn LED và điốt laser tia cực tím sâu (UVC)

• Tăng trưởng epiticular GaN-on-AlN và các thiết bị cấu trúc dị thể tiên tiến

• Các thành phần bán dẫn nhiệt độ cao, tần số cao và môi trường khắc nghiệt

3. Kích cỡ có sẵn và cấp chất lượng

VeTek cung cấp tấm wafer AlN ở các định dạng tiêu chuẩn sau. Kích thước và thông số kỹ thuật tùy chỉnh có thể được thảo luận theo yêu cầu.

• Chất nền vuông 10 × 10 mm

• Tấm wafer 1 inch (25,4 mm)

• Tấm wafer 2 inch (50,8 mm)

Cấp chất lượng: Cấp P (Sản phẩm), cấp R (Nghiên cứu), cấp D (Thử nghiệm), được phân biệt chủ yếu bởi đường cong rung chuyển FWHM HR-XRD và chất lượng tinh thể tổng thể.

4. Thông số kỹ thuật chính

Các tham số chung trên các kích cỡ (giá trị điển hình; phụ thuộc vào cấp độ khi được ghi chú):

Dung sai hình học theo kích thước cụ thể:

• 10×10 mm: Chiều dài cạnh 10 mm ± 0,5 mm; TTV ≤ 15µm; Cung ≤ 15 μm

• 1 inch: Đường kính 25,4 mm ± 0,5 mm; Diện tích sử dụng ≥ 90%; TTV 20µm; Cung 20 μm; Mặt phẳng sơ cấp (10-10) ± 5°, dài 8 mm ± 1mm

• 2 inch: Đường kính 50,8 mm ± 0,5 mm; Diện tích sử dụng ≥ 90%; TTV ≤ 30µm; Cung 30 μm; Chiều dài phẳng sơ cấp 16 mm ± 2 mm

5. Tại sao chọn tấm wafer VeTek AlN?

Là nhà cung cấp chuyên biệt các vật liệu và linh kiện bán dẫn tiên tiến, VeTek Semiconductor cung cấp:

• Tấm wafer đơn tinh thể AlN chất lượng cao với chất lượng tinh thể được kiểm soát và bề mặt sẵn sàng cho epi

• Nhiều tùy chọn kích thước và cấp độ để hỗ trợ cả chương trình nghiên cứu và sản xuất thiết bị

• Các giải pháp chất nền và tấm bán dẫn bổ sung trong danh mục vật liệu bán dẫn VeTek

• Hỗ trợ kỹ thuật để lựa chọn vật liệu và kết hợp quy trình

Tấm wafer AlN của chúng tôi giúp khách hàng đẩy nhanh quá trình phát triển các thiết bị quang điện tử RF công suất cao, điện áp cao và tia cực tím sâu vốn yêu cầu sự kết hợp độc đáo giữa dải thông cực rộng, độ dẫn nhiệt cao và khả năng tương thích GaN do nhôm nitrit mang lại.