Vòng dẫn hướng than chì xốp

Ưu điểm sản phẩm cốt lõi

1. Đảm bảo độ tinh khiết cực cao và tỷ lệ khuyết tật thấp

Áp dụng quy trình tinh chế nhiệt độ cao chân không 3000oC để loại bỏ sâu các tạp chất phi kim loại như oxy và nitơ, tăng độ tinh khiết của sản phẩm lên ≥99,9995%. Nó loại bỏ các khuyết tật tinh thể do tạp chất gây ra (ví dụ: vi ống, sai lệch) khỏi nguồn, đảm bảo tính nhất quán và ổn định của các đặc tính điện của các tinh thể đơn SiC và đặt nền tảng vững chắc cho sự phát triển tinh thể chất lượng cao.

2. Ổn định nhiệt độ cực cao và điều chỉnh trường nhiệt chính xác

Có thể chịu được nhiệt độ cực cao 2200oC trong môi trường argon hoặc chân không, hoạt động liên tục và ổn định trong hơn 1000 giờ mà không bị mềm hay biến dạng. Sản phẩm có hệ số giãn nở nhiệt thấp, có thể tránh nứt vật liệu do ứng suất nhiệt một cách hiệu quả. Nó hỗ trợ thiết kế phân bố gradient của độ xốp (15-30%) và tối ưu hóa kích thước lỗ rỗng (10-200μm) kết hợp với công nghệ mô phỏng CFD (Động lực học chất lỏng tính toán), kiểm soát biến động gradient nhiệt độ trong phạm vi ±3oC và cải thiện đáng kể tính đồng nhất của trường nhiệt và tính nhất quán trong quá trình phát triển tinh thể.

3. Thích ứng tùy chỉnh & Sự hài lòng toàn kịch bản

• Thích ứng hình dạng hình học: Có thể xử lý chính xác các hình dạng phức tạp như thùng hình khuyên và cấu trúc tấm chắn nhiều lớp theo cấu trúc lò của khách hàng để đạt được sự kết hợp và lắp đặt hoàn hảo.
• Tùy chỉnh quy trình bề mặt: Cung cấp các dịch vụ xử lý bề mặt được cá nhân hóa như đánh bóng siêu chính xác và lớp phủ đặc biệt, nâng cao đáng kể khả năng chống ăn mòn và tuổi thọ của sản phẩm.

4. Hiệu suất được xác minh và nâng cấp hiệu quả

• Khi được sử dụng làm thành phần trường nhiệt lõi trong quá trình kết tinh PVT SiC, nó đã được xác minh trong các tình huống thực tế:
• Tốc độ tăng trưởng tinh thể tăng 15% -20% so với các sản phẩm than chì truyền thống, rút ​​ngắn đáng kể chu kỳ sản xuất.
• Năng suất của tấm wafer đơn tinh thể SiC 4 inch vượt quá 90%, giúp giảm chi phí sản xuất một cách hiệu quả.
• Chu kỳ bảo trì thiết bị được kéo dài từ 3 tháng lên 6 tháng như thông thường, giúp giảm tần suất bảo trì ngừng hoạt động và nâng cao hiệu quả sản xuất.
  
  

Kịch bản ứng dụng

• Tổ hợp lò tăng trưởng PVT: Đóng vai trò là thành phần cốt lõi cho quá trình thăng hoa và phát triển tinh thể vật liệu SiC, cung cấp sự phân bố trường nhiệt ổn định và đồng đều để đảm bảo quá trình kết tinh diễn ra suôn sẻ.
• Thành phần che chắn trường nhiệt: Cấu trúc xốp độc đáo có thể giảm ứng suất nhiệt một cách hiệu quả, giảm hao mòn thiết bị và kéo dài tuổi thọ chung của thiết bị.
• Phụ kiện hỗ trợ tinh thể hạt giống: Sở hữu độ bền cơ học cao giúp hỗ trợ ổn định tinh thể hạt giống, đảm bảo độ chính xác của quá trình phát triển tinh thể theo hướng.
• Lớp khuếch tán khí: Tối ưu hóa hiệu quả chuyển pha khí, thúc đẩy sự thăng hoa và lắng đọng đồng đều của nguyên liệu thô, đồng thời cải thiện hơn nữa chất lượng và tốc độ tăng trưởng của tinh thể đơn.

Thông số kỹ thuật

Điểm nổi bật cạnh tranh cốt lõi

• Hiệu suất nhiệt độ cực cao: Duy trì độ ổn định cấu trúc ở 2200oC mà không bị mềm hoặc biến dạng, hỗ trợ hoạt động liên tục trong hơn 1000 giờ để đáp ứng các yêu cầu xử lý khắc nghiệt.
• Giải pháp trường nhiệt tùy chỉnh: Dựa vào công nghệ mô phỏng CFD để tối ưu hóa thiết kế gradient lỗ rỗng, đáp ứng chính xác nhu cầu quy trình của khách hàng và cải thiện tính đồng nhất của tinh thể cũng như năng suất sản phẩm.
• Dịch vụ phản hồi nhanh: Cung cấp dịch vụ thử nghiệm khớp thông số quy trình và cung cấp các giải pháp nguyên mẫu trong vòng 72 giờ, giúp khách hàng đẩy nhanh quá trình R&D và sản xuất.