Than chì xốp tăng trưởng tinh thể SiC

SiC Crystal Development xốp Graphite là vật liệu được làm từ than chì xốp với cấu trúc lỗ rỗng có khả năng kiểm soát cao. Trong xử lý chất bán dẫn, nó cho thấy tính dẫn nhiệt tuyệt vời, khả năng chịu nhiệt độ cao và ổn định hóa học, vì vậy nó được sử dụng rộng rãi trong lắng đọng hơi vật lý, lắng đọng hơi hóa học và các quá trình khác, cải thiện đáng kể hiệu quả của quá trình sản xuất và chất lượng sản phẩm, trở thành chất bán dẫn được tối ưu hóa Vật liệu quan trọng đối với hiệu suất của thiết bị sản xuất.

Trong quá trình PVD, than chì xốp tăng trưởng tinh thể SIC thường được sử dụng làm hỗ trợ hoặc vật cố. Chức năng của nó là hỗ trợ wafer hoặc các chất nền khác và đảm bảo tính ổn định của vật liệu trong quá trình lắng đọng. Độ dẫn nhiệt của than chì xốp thường nằm trong khoảng 80 W/m · K và 120 W/M · K, cho phép than chì xốp có thể dẫn nhiệt nhanh chóng và đồng đều, tránh quá nóng cục bộ, do đó ngăn chặn sự lắng đọng không đồng đều của màng mỏng, cải thiện đáng kể hiệu quả quá trình .

Ngoài ra, phạm vi độ xốp điển hình của Than chì xốp tăng trưởng tinh thể SiC là 20% ~ 40%. Đặc tính này có thể giúp phân tán dòng khí trong buồng chân không và ngăn chặn dòng khí ảnh hưởng đến tính đồng nhất của lớp màng trong quá trình lắng đọng.

Trong quá trình CVD, cấu trúc xốp của than chì xốp tăng trưởng SIC tinh thể cung cấp một con đường lý tưởng để phân bố khí đồng đều. Khí phản ứng được lắng đọng trên bề mặt chất nền thông qua phản ứng hóa học pha khí để tạo thành một màng mỏng. Quá trình này đòi hỏi phải kiểm soát chính xác dòng chảy và phân phối khí phản ứng. Độ xốp 20% ~ 40% của than chì xốp có thể hướng dẫn khí hiệu quả và phân phối đều trên bề mặt chất nền, cải thiện tính đồng nhất và tính nhất quán của lớp màng lắng.

Than chì xốp thường được sử dụng làm ống lò, chất mang chất nền hoặc vật liệu mặt nạ trong thiết bị CVD, đặc biệt là trong các quá trình bán dẫn đòi hỏi vật liệu có độ tinh khiết cao và có yêu cầu cực kỳ cao đối với ô nhiễm hạt. Đồng thời, quá trình CVD thường liên quan đến nhiệt độ cao và than chì xốp có thể duy trì độ ổn định vật lý và hóa học của nó ở nhiệt độ lên tới 2500 ° C, làm cho nó trở thành một vật liệu không thể thiếu trong quá trình CVD.

Mặc dù có cấu trúc xốp, than chì xốp tăng trưởng tinh thể SIC vẫn có cường độ nén 50 MPa, đủ để xử lý ứng suất cơ học được tạo ra trong quá trình sản xuất chất bán dẫn.

Là người lãnh đạo các sản phẩm than chì xốp trong ngành bán dẫn của Trung Quốc, Veteksemi luôn hỗ trợ các dịch vụ tùy biến sản phẩm và giá sản phẩm thỏa đáng. Bất kể các yêu cầu cụ thể của bạn là gì, chúng tôi sẽ phù hợp với giải pháp tốt nhất cho than chì xốp của bạn và mong chờ sự tư vấn của bạn bất cứ lúc nào.

Tính chất vật lý cơ bản của than chì tăng trưởng SIC tinh thể:

Các cửa hàng sản phẩm Graphite xốp tăng trưởng tinh thể SiC bán dẫn VeTek:

Tổng quan về chuỗi công nghiệp epitaxy chip bán dẫn: