Các sản phẩm
Mâm cặp tĩnh điện bằng gốm nhôm Nitride (AlN)
  • Mâm cặp tĩnh điện bằng gốm nhôm Nitride (AlN)Mâm cặp tĩnh điện bằng gốm nhôm Nitride (AlN)

Mâm cặp tĩnh điện bằng gốm nhôm Nitride (AlN)

Đầu cặp tĩnh điện bằng gốm sứ VeTek Aluminium Nitride (ESC) là bệ kẹp wafer có độ dẫn nhiệt cao được thiết kế cho các công cụ xử lý chất bán dẫn yêu cầu kiểm soát nhiệt độ chính xác, giữ tĩnh điện ổn định và tạo ra hạt thấp. Được sản xuất từ ​​gốm AlN có độ tinh khiết cao, những mâm cặp này mang lại khả năng tản nhiệt tuyệt vời, cách điện cao và kẹp Coulomb hoặc Johnsen–Rahbek đáng tin cậy cho các quy trình bán dẫn 150 mm, 200 mm và 300 mm.
    Đánh giá: 5.0
    (Số lượng xếp hạng: 1)

    1.Thuận lợi

    • Gốm AlN có độ tinh khiết cao với độ dẫn nhiệt lên tới ~180 W/m·K giúp truyền nhiệt hiệu quả và đồng đều nhiệt độ

    • Cách điện mạnh và điện trở suất lớn hỗ trợ kẹp ổn định ở mức 1–3 kV (có sẵn điện áp cao hơn)

    • Vật liệu lớp điện môi tùy chỉnh và bố trí điện cực: Coulomb hoặc Johnsen–Rahbek (JR); đơn hoặc đa vùng

    • Hiệu suất kẹp và tháo kẹp nhanh, thường dưới 0,1 giây

    • Các cấu trúc vi mô lúm đồng tiền trên bề mặt có đường kính xuống tới ~300 μm, giảm diện tích tiếp xúc xuống mức ~1%

    • Khả năng làm phẳng cao; độ phẳng toàn cầu điển hình ở mức 0,5–3 μm PV cho nền lớp 300 mm

    • Cấu trúc vi mô dày đặc với khả năng hấp thụ nước gần như bằng không và khả năng kháng hóa chất tốt cho môi trường xử lý

    2.Ứng dụng điển hình

    Mâm cặp tĩnh điện bằng gốm nhôm Nitride được sử dụng trong các bước quy trình yêu cầu giữ tấm bán dẫn an toàn và kiểm soát hoạt động nhiệt:

    • Khắc axit khô (ICP/RIE) và các quy trình buồng liên quan

    • CVD, PEALD, ALD nhiệt và các giai đoạn lắng đọng màng mỏng khác

    • Các mô-đun ủ và xử lý nhiệt yêu cầu nhiệt độ wafer đồng đều

    • Các giai đoạn kiểm tra, đo lường và độ chính xác trong đó tỷ lệ hạt thấp và khả năng kẹp ổn định là rất quan trọng

    3.Lớp vật liệu AlN - Thuộc tính điển hình

    VeTek cung cấp nhiều loại Nhôm Nitride để cân bằng độ dẫn nhiệt, độ bền cơ học và chi phí cho các thiết kế ESC:

    Tài sản

    AIN-HC95

    AIN-HP95

    AIN99

    AIN999

    AIN-HP999

    AIN-HP999LR

    Màu sắc

    Xám

    Xám

    Xám

    Xám

    Xám

    Xám

    độ tinh khiết

    ≥95%

    ≥95%

    ≥99%

    ≥99,9%

    ≥99,9%

    ≥99,9%

    Mật độ (g/cm³)

    3.3

    3.3

    3.3

    3.2

    3.3

    3.3

    Hấp thụ nước (%)

    0

    0

    0

    0

    0

    0

    Độ cứng HV (GPa)

    10

    10

    10

    10

    10

    10

    Độ bền uốn (MPa)

    380

    400

    350

    310

    360

    310

    Mô đun đàn hồi (GPa)

    320

    300

    300

    300

    300

    300

    độ dẻo dai gãy xương

    3

    3.4

    3

    2.8

    2.3

    3.3

    CTE (×10⁻⁶/°C)

    4.6

    5.7

    5.2

    5.5

    5.7

    5.4

    Độ dẫn nhiệt

    180

    180

    100

    90

    90

    90

    Sốc nhiệt (° C)

    400

    500

    —

    —

    350

    —

    Độ bền điện môi

    16

    16

    —

    16

    —

    —

    Điện trở suất

    1×10¹⁴

    1×10¹⁵

    1×10¹⁵

    —

    1×10¹⁵

    có thể điều chỉnh

    Hằng số điện môi

    8.6

    8.6

    8.5

    8.5

    —

    —

    Đơn vị: Độ dẫn nhiệt tính bằng W/(m·K); độ bền điện môi tính bằng kV/mm; điện trở suất tính bằng Ω·cm (25 °C); hằng số điện môi ở tần số 1 MHz. Các giá trị là điển hình và có thể thay đổi theo quy trình và hình dạng bộ phận.

    4.Thông số thiết kế ESC điển hình

    tham số

    Giá trị / Phạm vi điển hình

    Chất liệu gốm sứ

    Nhôm nitrat (AlN)

    loại ESC

    Coulomb / Johnsen–Rahbek (JR)

    Bố trí điện cực

    Đơn hoặc đa vùng

    Lộ trình sản xuất

    Ép nóng (AlN ưu tiên cho các loại TC cao)

    Thời gian kẹp/tháo kẹp

    < 0,1 giây (điển hình)

    Đường kính lúm đồng tiền (tối thiểu)

    ~300 mm

    Vùng tiếp xúc (có lúm đồng tiền)

    Có thể giảm xuống ~ 1%

    Độ phẳng toàn cầu (lớp 300 mm)

    ~0,5–3 μm PV (điển hình)

    Điện áp kẹp

    tiêu chuẩn 1–3 kV; có thể thiết kế >15 kV

    5.Tại sao Choose VeTek AlN Đầu cặp tĩnh điện?

    VeTek Semiconductor tích hợp gốm AlN tiên tiến với quy trình sản xuất ESC chính xác dành cho những khách hàng bán dẫn cần cả hiệu suất nhiệt và khả năng kẹp đáng tin cậy:

    • Nhiều loại AlN có độ dẫn nhiệt từ ~90 đến ~180 W/m·K để phù hợp với ngân sách nhiệt của quy trình

    • Thiết kế điện cực và điện môi linh hoạt cho hoạt động kẹp Coulomb hoặc JR

    • Kiểm soát chặt chẽ độ phẳng, cấu trúc bề mặt và hiệu suất cách điện

    • Hỗ trợ toàn bộ vòng đời: thiết kế, xây dựng mới và tân trang theo nhiều cấp độ

    Đối với các dụng cụ khắc axit, lắng đọng và nhiệt phụ thuộc vào nhiệt độ wafer đồng đều và khả năng kẹp sạch, có thể lặp lại, Đầu cặp tĩnh điện bằng gốm VeTek Aluminium Nitride cung cấp nền tảng gốm hiệu suất cao được hỗ trợ kỹ thuật tập trung vào ứng dụng.

    Gửi yêu cầu
    Thông tin liên lạc
    • Địa chỉ

      Đường Wangda, phố Ziyang, huyện Wuyi, thành phố Kim Hoa, tỉnh Chiết Giang, Trung Quốc

    • điện thoại

      +86-18069220752

    For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
    Đánh giá:
    5.0
    X
    Chúng tôi sử dụng cookie để cung cấp cho bạn trải nghiệm duyệt web tốt hơn, phân tích lưu lượng truy cập trang web và cá nhân hóa nội dung. Bằng cách sử dụng trang web này, bạn đồng ý với việc chúng tôi sử dụng cookie. Chính sách bảo mật
    Từ chốiChấp nhận