CVD SIC Pancake M cảm

Nó bán dẫn CVD SIC Pancake Masceptor được sản xuất bằng công nghệ lắng đọng hơi hóa học mới nhất (CVD) để đảm bảo độ bền tuyệt vời và khả năng thích ứng nhiệt độ cực cao. Sau đây là các thuộc tính vật lý chính của nó:

● Ổn định nhiệt: Độ ổn định nhiệt cao của CVD SIC đảm bảo hiệu suất ổn định trong điều kiện nhiệt độ cao.

● Hệ số giãn nở nhiệt thấp: Vật liệu có hệ số giãn nở nhiệt cực thấp, giúp giảm thiểu sự cong vênh và biến dạng do thay đổi nhiệt độ.

● Kháng ăn mòn hóa học: Kháng hóa chất tuyệt vời cho phép nó duy trì hiệu suất cao trong nhiều môi trường khắc nghiệt.

Hỗ trợ chính xác và truyền nhiệt được tối ưu hóa

SiC được bọc SIC SIC Pancake của Veteksemi được thiết kế để phù hợp với các tấm bán dẫn và cung cấp hỗ trợ tuyệt vời trong quá trình lắng đọng epiticular. Bộ nhớ Pancake SIC được thiết kế bằng công nghệ mô phỏng tính toán tiên tiến để giảm thiểu biến dạng và biến dạng trong các điều kiện nhiệt độ và áp suất khác nhau. Hệ số giãn nở nhiệt điển hình của nó là khoảng 4.0 × 10^-6/° C, có nghĩa là độ ổn định kích thước của nó tốt hơn đáng kể so với các vật liệu truyền thống trong môi trường nhiệt độ cao, do đó đảm bảo tính nhất quán của độ dày wafer (thường là 200 mm đến 300 mm).

Ngoài ra, độ nhạy Pancake CVD vượt trội trong truyền nhiệt, với độ dẫn nhiệt lên tới 120 W/m · k. Độ dẫn nhiệt cao này có thể tiến hành nhiệt nhanh và hiệu quả, tăng cường tính đồng nhất nhiệt độ trong lò, đảm bảo phân bố nhiệt đồng đều trong quá trình lắng đọng epiticular và giảm các khiếm khuyết lắng đọng do nhiệt không đồng đều. Hiệu suất truyền nhiệt tối ưu hóa là rất quan trọng để cải thiện chất lượng lắng đọng, điều này có thể làm giảm hiệu quả các biến động của quá trình và cải thiện năng suất.

Thông qua các tối ưu hóa thiết kế và hiệu suất này, CVD Pancake Pancake SICS của Vetek S bán dẫn này cung cấp một nền tảng vững chắc cho sản xuất chất bán dẫn, đảm bảo độ tin cậy và tính nhất quán trong điều kiện xử lý khắc nghiệt và đáp ứng các yêu cầu nghiêm ngặt của ngành công nghiệp bán dẫn hiện đại về độ chính xác và chất lượng cao.

Cấu trúc tinh thể màng CVD sic

Tính chất vật lý cơ bản của lớp phủ CVD sic

Tính chất vật lý cơ bản của lớp phủ CVD sic
Tài sản	Giá trị điển hình
Cấu trúc tinh thể	FCC polycrystalline pha, chủ yếu (111) định hướng
Tỉ trọng	3,21 g/cm³
Độ cứng	Độ cứng 2500 Vickers （tải 500g）
Kích thước hạt	2 ~ 10 mm
Độ tinh khiết hóa học	99,9995%
Công suất nhiệt	640 J · kg-1· K-1
Nhiệt độ thăng hoa	2700
Sức mạnh uốn	415 MPa RT 4 điểm
Mô đun của Young	430 GPA 4pt uốn cong, 1300 ℃
Độ dẫn nhiệt	300W · m-1· K-1
Mở rộng nhiệt (CTE)	4,5 × 10-6K-1