Công nghệ MOCVD

VeTek Semiconductor có lợi thế và kinh nghiệm về phụ tùng Công nghệ MOCVD.

MOCVD, tên đầy đủ của Lắng đọng hơi hóa học hữu cơ kim loại (Lắng đọng hơi hóa học hữu cơ kim loại), cũng có thể được gọi là epit Wax pha hơi kim loại-hữu cơ. Hợp chất hữu cơ kim loại là loại hợp chất có liên kết kim loại-cacbon. Các hợp chất này chứa ít nhất một liên kết hóa học giữa kim loại và nguyên tử cacbon. Các hợp chất hữu cơ kim loại thường được sử dụng làm tiền chất và có thể tạo thành màng mỏng hoặc cấu trúc nano trên đế thông qua các kỹ thuật lắng đọng khác nhau.

Lắng đọng hơi hóa học hữu cơ kim loại (công nghệ MOCVD) là công nghệ tăng trưởng epiticular phổ biến, công nghệ MOCVD được sử dụng rộng rãi trong sản xuất laser bán dẫn và đèn led. Đặc biệt khi sản xuất đèn led, MOCVD là công nghệ chủ chốt để sản xuất gallium nitride (GaN) và các vật liệu liên quan.

Có hai hình thức Epit Wax chính: Epit Wax pha lỏng (LPE) và Epit Wax pha hơi (VPE). Epitaxy pha khí có thể được chia thành epit Wax hóa học hữu cơ kim loại (MOCVD) và epit Wax chùm phân tử (MBE).

Các nhà sản xuất thiết bị nước ngoài chủ yếu được đại diện bởi Aixtron và Veeco. Hệ thống MOCVD là một trong những thiết bị chủ chốt để sản xuất tia laser, đèn led, linh kiện quang điện, nguồn điện, thiết bị RF và pin mặt trời.

Đặc điểm chính của phụ tùng công nghệ MOCVD do công ty chúng tôi sản xuất:

1) Mật độ cao và đóng gói đầy đủ: toàn bộ đế than chì ở trong môi trường làm việc có nhiệt độ cao và ăn mòn, bề mặt phải được bao bọc hoàn toàn và lớp phủ phải có mật độ tốt để phát huy vai trò bảo vệ tốt.

2) Độ phẳng bề mặt tốt: Bởi vì nền than chì được sử dụng để tăng trưởng đơn tinh thể đòi hỏi độ phẳng bề mặt rất cao, nên độ phẳng ban đầu của đế phải được duy trì sau khi chuẩn bị lớp phủ, nghĩa là lớp phủ phải đồng nhất.

3) Độ bền liên kết tốt: Giảm sự chênh lệch về hệ số giãn nở nhiệt giữa đế than chì và vật liệu phủ, có thể cải thiện hiệu quả độ bền liên kết giữa hai vật liệu và lớp phủ không dễ bị nứt sau khi trải qua nhiệt độ cao và nhiệt độ thấp xe đạp.

4) Độ dẫn nhiệt cao: Sự phát triển của chip chất lượng cao đòi hỏi nền than chì phải cung cấp nhiệt nhanh và đồng đều, do đó vật liệu phủ phải có độ dẫn nhiệt cao.

5) Điểm nóng chảy cao, khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao, chống ăn mòn: lớp phủ phải có khả năng hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao và môi trường làm việc ăn mòn.

Đặt chất nền 4 inch
Epitaxy xanh lam để trồng đèn LED
Nằm trong buồng phản ứng
Tiếp xúc trực tiếp với wafer Đặt chất nền 4 inch
Dùng để nuôi phim epitaxy LED UV
Nằm trong buồng phản ứng
Tiếp xúc trực tiếp với wafer Máy Veeco K868/Veeco K700
Epitaxy LED trắng / Epitaxy LED xanh lam Được sử dụng trong thiết bị VEECO
Đối với Epitaxy MOCVD
Chất nhạy cảm với lớp phủ SiC Thiết bị Aixtron TS
Epitaxy tia cực tím sâu
Chất nền 2 inch Thiết bị Veeco
Epit Wax LED đỏ-vàng
Chất nền wafer 4 inch Chất cảm ứng phủ TaC
(Bộ thu LED SiC Epi/ UV) Chất nhạy cảm phủ SiC
(ALD/ Si Epi/ LED MOCVD nhạy cảm)