Than-cm Grometite Frometite

Kiến kim than chì ba cánh của Bán dẫn của Vetek được thiết kế cho quá trình tăng trưởng của silicon đơn tinh thể bằng phương pháp CZ, cấu trúc than chì cấu trúc ba cánh được làm bằng vật liệu than chì có độ tinh khiết cao đẳng hướng. Thông qua cấu trúc ba cánh cải tiến, nồi nấu kim loại tích hợp truyền thống có thể giải quyết hiệu quả những khó khăn tháo gỡ, nồng độ ứng suất nhiệt và các điểm đau khác trong ngành, và được sử dụng rộng rãi trong các tấm silicon quang điện, tấm phao bán dẫn và các lĩnh vực sản xuất cao cấp khác.

Quá trình cốt lõi nổi bật

1. Công nghệ xử lý than chì siêu chính xác

Độ tinh khiết vật liệu: Việc sử dụng chất nền than chì ép đẳng hướng với hàm lượng tro <5ppm nếu được yêu cầu và thường là ＜ 10ppm để đảm bảo ô nhiễm bằng không trong quá trình nóng chảy silicon

Tăng cường cấu trúc: Sau khi được graphit hóa ở 2200, cường độ uốn là ≥45MPa và hệ số giãn nở nhiệt là ≤4,6 × 10⁻⁶/℃

Xử lý bề mặt: Lớp phủ carbon pyrolytic 10-15μm được lắng đọng bởi quá trình CVD để cải thiện khả năng chống oxy hóa (giảm cân <1.5%/100H@1600℃).

2. Thiết kế cấu trúc ba cánh sáng sáng tạo

Lắp ráp mô-đun: Cấu trúc ba thùy, cài đặt và hiệu quả tháo gỡ 120 ° tăng lên 300%

Thiết kế giải phóng căng thẳng: Cấu trúc phân chia hiệu quả phân tán ứng suất mở rộng nhiệt và kéo dài tuổi thọ dịch vụ lên hơn 200 chu kỳ

Độ chính xác phù hợp: Khoảng cách giữa các van là <0,1mm và chất kết dính gốm nhiệt độ cao đảm bảo rò rỉ bằng không trong quá trình nóng chảy silicon

3. Dịch vụ xử lý tùy chỉnh

Hỗ trợ φ16 "-φ40" Tùy chỉnh kích thước đầy đủ, điều khiển dung sai độ dày tường ± 0,5mm

Cấu trúc mật độ gradient 1.83g/cm³ có thể được chọn để tối ưu hóa phân phối trường nhiệt

Cung cấp các quy trình giá trị gia tăng như lớp phủ composite boron nitride và tăng cường cạnh kim loại rhenium

Kịch bản ứng dụng điển hình

Công nghiệp quang điện

Thanh silicon đơn tinh thể bản vẽ liên tục: Thích hợp cho G12 Sản xuất wafer silicon kích thước lớn, hỗ trợ ≥500kg công suất tải

Pin Topcon loại N: Di cư tạp chất cực thấp đảm bảo tuổi thọ thiểu số> 2ms

Nâng cấp trường nhiệt: Tương thích với các mô hình lò tinh thể đơn chính (PVI, Ferrotec, v.v.)

Sản xuất bán dẫn

Tăng trưởng silicon đơn tinh thể lớp 8-12 inch: đáp ứng các yêu cầu về độ sạch của lớp tiêu chuẩn tiêu chuẩn

Tinh thể pha tạp đặc biệt: Kiểm soát chính xác sự đồng nhất phân phối boron/phốt pho

Chất bán dẫn thế hệ thứ ba: Quá trình chuẩn bị tinh thể SIC tương thích

Lĩnh vực nghiên cứu khoa học

Nghiên cứu và phát triển các tấm silicon siêu mỏng cho pin mặt trời không gian

Thử nghiệm tăng trưởng của vật liệu tinh thể mới (Germanium, Gallium arsenide)

Giới hạn nghiên cứu tham số (3000 ℃ Thí nghiệm nóng chảy nhiệt độ siêu cao)

Hệ thống đảm bảo chất lượng

ISO 9001/14001 Chứng nhận hệ thống kép

Cung cấp báo cáo kiểm tra vật liệu cho khách hàng (phân tích thành phần XRD, cấu trúc vi mô SEM)

Toàn bộ hệ thống truy xuất nguồn gốc (đánh dấu laser + lưu trữ blockchain)