Tổ chức nòng súng cho silicon đơn tinh thể

Trong phương pháp CZ (Czochralski), một tinh thể duy nhất được trồng bằng cách đưa hạt đơn tinh thể tiếp xúc với silicon polycrystalline nóng chảy. Hạt dần dần được kéo lên trong khi bị xoay chậm. Trong quá trình này, một số lượng đáng kể các bộ phận than chì được sử dụng, làm cho nó trở thành phương pháp sử dụng số lượng thành phần than chì cao nhất trong sản xuất chất bán dẫn silicon.

Bức tranh bên phải cung cấp một biểu diễn sơ đồ của một lò sản xuất tinh thể đơn silicon dựa trên phương pháp CZ.

Bản án của chất bán dẫn Vetek cho silicon đơn tinh thể cung cấp một môi trường ổn định và được kiểm soát quan trọng cho sự hình thành chính xác của các tinh thể bán dẫn. Chúng là công cụ phát triển các thỏi silicon đơn tinh thể bằng các kỹ thuật tiên tiến như quy trình Czochralski và các phương pháp khu vực nổi, rất quan trọng để sản xuất vật liệu chất lượng cao cho các thiết bị điện tử.

Được thiết kế cho sự ổn định nhiệt vượt trội, khả năng chống ăn mòn hóa học và sự giãn nở nhiệt tối thiểu, những cây trồng này đảm bảo độ bền và độ bền. Chúng được thiết kế để chịu được môi trường hóa học khắc nghiệt mà không ảnh hưởng đến tính toàn vẹn hoặc hiệu suất cấu trúc, do đó kéo dài tuổi thọ của nồi nấu kim loại và duy trì hiệu suất nhất quán so với việc sử dụng kéo dài.

Thành phần độc đáo của các loại hình dạng bán dẫn Vetek cho silicon đơn tinh thể cho phép chúng chịu đựng các điều kiện khắc nghiệt của xử lý nhiệt độ cao. Điều này đảm bảo độ ổn định nhiệt và độ tinh khiết đặc biệt, rất quan trọng cho việc xử lý chất bán dẫn. Thành phần cũng tạo điều kiện cho truyền nhiệt hiệu quả, thúc đẩy quá trình kết tinh đồng đều và giảm thiểu độ dốc nhiệt trong tan chảy silicon.

✔ Bảo vệ vật liệu cơ bản: TheCVD SIC Lớp phủHoạt động như một lớp bảo vệ trong quá trình epiticular, bảo vệ hiệu quả vật liệu cơ bản khỏi xói mòn và thiệt hại do môi trường bên ngoài gây ra. Biện pháp bảo vệ này mở rộng đáng kể tuổi thọ của thiết bị.

✔ Độ dẫn nhiệt tuyệt vời: Lớp phủ SIC CVD của chúng tôi sở hữu độ dẫn nhiệt nổi bật, chuyển nhiệt hiệu quả từ vật liệu cơ bản sang bề mặt lớp phủ. Điều này tăng cường hiệu quả quản lý nhiệt trong quá trình epitax, đảm bảo nhiệt độ hoạt động tối ưu cho thiết bị.

✔ Cải thiện chất lượng phim: Lớp phủ CVD SIC cung cấp một bề mặt phẳng và đồng đều, tạo ra một nền tảng lý tưởng cho sự phát triển phim. Nó làm giảm các khiếm khuyết do không khớp mạng, tăng cường độ kết tinh và chất lượng của màng epiticular, và cuối cùng cải thiện hiệu suất và độ tin cậy của nó.