Các sản phẩm
Chất mang RTP RTA phủ than chì CVD Silicon Carbide (SiC)
  • Chất mang RTP RTA phủ than chì CVD Silicon Carbide (SiC)Chất mang RTP RTA phủ than chì CVD Silicon Carbide (SiC)
  • Chất mang RTP RTA phủ than chì CVD Silicon Carbide (SiC)Chất mang RTP RTA phủ than chì CVD Silicon Carbide (SiC)

Chất mang RTP RTA phủ than chì CVD Silicon Carbide (SiC)

Chất mang RTP RTA than chì được phủ VETEK CVD Silicon Carbide (SiC) được thiết kế cho các hệ thống xử lý nhiệt nhanh (RTP) và ủ nhiệt nhanh (RTA) được sử dụng trong sản xuất chất bán dẫn. Được sản xuất từ ​​than chì đẳng tĩnh có độ tinh khiết cao với lớp phủ SiC CVD dày đặc, nó mang lại độ ổn định nhiệt vượt trội, độ đồng đều nhiệt độ tuyệt vời, khả năng kháng hóa chất vượt trội và khả năng tạo hạt cực thấp. Được thiết kế để chịu được các chu kỳ làm nóng và làm mát nhanh lặp đi lặp lại, giá đỡ đảm bảo hỗ trợ tấm bán dẫn đáng tin cậy và hiệu suất xử lý ổn định để ủ tấm bán dẫn silicon và các ứng dụng bán dẫn nhiệt độ cao khác.

Tính năng sản phẩm

· Thiết bị cốt lõi:Được thiết kế cho các hệ thống Ủ nhiệt nhanh (RTA) và Xử lý nhiệt nhanh (RTP).

· Sơ cấpôi Aứng dụng: Tối ưu hóa cho quá trình ủ wafer bán dẫn.

· eđánh giá Tenhiệt độ:Hoạt động ổn định từ 200°C đến 700°C.

· ExcElent cótính đồng nhất: Đảm bảo phân phối nhiệt đều để xử lý wafer nhất quán.

· hạt thấpGthế hệ: Lớp phủ SiC CVD dày đặc giúp giảm thiểu ô nhiễm và cải thiện năng suất sản xuất.

· Kháng hóa chất vượt trội:Chống lại quá trình oxy hóa và ăn mòn khí trong quá trình xử lý nhiệt.

· Nổi bậtg Nhiệtal Chống sốc: Duy trì tính toàn vẹn của cấu trúc thông qua các chu kỳ làm nóng và làm mát nhanh chóng lặp đi lặp lại.

· Tuổi thọ dài:Lớp phủ SiC chống mài mòn giúp kéo dài đáng kể tuổi thọ của linh kiện và giảm chi phí bảo trì.

· Phong tụcChế tạo:Có nhiều kích cỡ và cấu hình khác nhau để phù hợp với các thiết bị RTP/RTA khác nhau.


Thông số kỹ thuật

Tính chất vật lý cơ bản của lớp phủ CVD SiC
Tài sản
Giá trị điển hình
Cấu trúc tinh thể
FCC đa tinh thể pha β, chủ yếu được định hướng (111)
Tỉ trọng
3,21 g/cm³
độ cứng
Độ cứng 2500 Vickers (tải 500 g)
Kích thước hạt
2–10 mm
Độ tinh khiết hóa học
99,99995%
Công suất nhiệt
640 J·kg⁻¹·K⁻¹
Nhiệt độ thăng hoa
2700°C
Độ bền uốn
415 MPa (RT, uốn 4 điểm)
Mô đun Young
430 GPa (uốn 4 điểm, 1300°C)
Độ dẫn nhiệt
300 W·m⁻¹·K⁻¹
Hệ số giãn nở nhiệt (CTE)
4,5 × 10⁻⁶ K⁻¹

Ứng dụng

·Ủ nhiệt nhanh (RTA)

· Xử lý nhiệt nhanh (RTP)

· Ủ wafer silicon

· Kích hoạt Dopant

· quá trình oxy hóa

· Khuếch tán

·Sản xuất chất bán dẫn phức hợp

·Chế tạo MEMS

·Xử lý chất bán dẫn điện


Câu hỏi thường gặp

1. Nhà cung cấp dịch vụ RTP/RTA là gì?

RTP/RTA Carrier là thành phần hỗ trợ wafer được sử dụng bên trong các hệ thống xử lý nhiệt nhanh và ủ nhiệt nhanh. Nó giữ các tấm bán dẫn một cách an toàn đồng thời cung cấp khả năng truyền nhiệt đồng đều trong suốt chu trình nhiệt.

2. Tại sao lớp phủ CVD SiC được ưa chuộng?

So với than chì trần, lớp phủ CVD SiC có khả năng chống oxy hóa vượt trội, tạo ra hạt thấp hơn, ổn định hóa học tốt hơn và tuổi thọ dài hơn đáng kể.

3. VETEK có thể cung cấp nhà cung cấp dịch vụ RTP/RTA tùy chỉnh không?

Đúng. VETEK cung cấp các nhà cung cấp dịch vụ RTP/RTA tùy chỉnh dựa trên bản vẽ của khách hàng.


Thẻ nóng: Chất mang RTP RTA than chì phủ CVD SiC Nhà cung cấp dịch vụ RTP RTA Nhà cung cấp RTP phủ SiC Chất mang RTP than chì Nhà cung cấp RTP bán dẫn Chất mang ủ nhiệt nhanh Chất mang xử lý nhiệt nhanh Nhà cung cấp CVD SiC Chất mang phủ silicon cacbua Nhà cung cấp ủ wafer
Gửi yêu cầu
Thông tin liên lạc
  • Địa chỉ

    Đường Wangda, phố Ziyang, huyện Wuyi, thành phố Kim Hoa, tỉnh Chiết Giang, Trung Quốc

  • điện thoại

    +86-18069220752

For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
Chúng tôi sử dụng cookie để cung cấp cho bạn trải nghiệm duyệt web tốt hơn, phân tích lưu lượng truy cập trang web và cá nhân hóa nội dung. Bằng cách sử dụng trang web này, bạn đồng ý với việc chúng tôi sử dụng cookie.Chính sách bảo mật