Tin tức

Lớp phủ CVD TAC là quá trình hình thành lớp phủ dày đặc và bền trên nền (graphit). Phương pháp này liên quan đến việc lắng đọng TaC lên bề mặt chất nền ở nhiệt độ cao, tạo ra lớp phủ tantalum cacbua (TaC) có độ ổn định nhiệt và kháng hóa chất tuyệt vời.

Khi quá trình silicon cacbua 8 inch (SIC) trưởng thành, các nhà sản xuất đang tăng tốc sự thay đổi từ 6 inch sang 8 inch. Gần đây, trên chất bán dẫn và Resonac đã công bố cập nhật về sản xuất SIC 8 inch.

Bài viết này giới thiệu những phát triển mới nhất về lò phản ứng CVD vách nóng PE1O8 được thiết kế mới của công ty LPE của Ý và khả năng thực hiện epit Wax 4H-SiC đồng nhất trên SiC 200mm.

Với nhu cầu ngày càng tăng đối với các vật liệu SIC trong Điện tử năng lượng, Optoelectronics và các lĩnh vực khác, sự phát triển của công nghệ tăng trưởng tinh thể SIC sẽ trở thành một lĩnh vực quan trọng của đổi mới khoa học và công nghệ. Là cốt lõi của thiết bị tăng trưởng tinh thể đơn SIC, thiết kế trường nhiệt sẽ tiếp tục nhận được sự chú ý sâu rộng và nghiên cứu chuyên sâu.

Thông qua tiến bộ công nghệ liên tục và nghiên cứu cơ chế chuyên sâu, công nghệ dị vòng 3C-SiC dự kiến ​​sẽ đóng vai trò quan trọng hơn trong ngành bán dẫn và thúc đẩy sự phát triển của các thiết bị điện tử hiệu suất cao.

ALD không gian, lắng đọng lớp nguyên tử bị cô lập trong không gian. Tấm wafer di chuyển giữa các vị trí khác nhau và tiếp xúc với các tiền chất khác nhau ở mỗi vị trí. Hình dưới đây là sự so sánh giữa ALD truyền thống và ALD bị cô lập về mặt không gian.

Gần đây, Viện nghiên cứu Đức Fraunhofer IISB đã tạo ra một bước đột phá trong việc nghiên cứu và phát triển công nghệ lớp phủ cacbua tantalum, và phát triển một giải pháp sơn phun linh hoạt và thân thiện với môi trường hơn so với giải pháp lắng đọng CVD và đã được thương mại hóa.

Trong thời đại phát triển công nghệ nhanh chóng, in 3D, như một đại diện quan trọng của công nghệ sản xuất tiên tiến, đang dần thay đổi bộ mặt của sản xuất truyền thống. Với sự trưởng thành liên tục của công nghệ và giảm chi phí, công nghệ in 3D đã cho thấy triển vọng ứng dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực như hàng không vũ trụ, sản xuất ô tô, thiết bị y tế và thiết kế kiến ​​trúc, và đã thúc đẩy sự đổi mới và phát triển của các ngành công nghiệp này.

Chỉ riêng vật liệu đơn tinh thể không thể đáp ứng nhu cầu sản xuất ngày càng tăng của các thiết bị bán dẫn khác nhau. Vào cuối năm 1959, một lớp mỏng công nghệ tăng trưởng vật liệu đơn tinh thể - tăng trưởng epiticular đã được phát triển.

Carbide silicon là một trong những vật liệu lý tưởng để tạo ra các thiết bị nhiệt độ cao, tần số cao, công suất cao và điện áp cao. Để cải thiện hiệu quả sản xuất và giảm chi phí, việc chuẩn bị chất nền cacbua silicon có kích thước lớn là một hướng phát triển quan trọng.

Theo tin tức ở nước ngoài, hai nguồn tin tiết lộ vào ngày 24 tháng 6 rằng Bytedance đang hợp tác với công ty thiết kế chip của Hoa Kỳ và Hoa Kỳ.

Là nhà sản xuất hàng đầu trong ngành SiC, động lực liên quan đến Sanan Optoelectronics đã nhận được sự chú ý rộng rãi trong ngành. Gần đây, Sanan Optoelectronics đã tiết lộ một loạt phát triển mới nhất, liên quan đến chuyển đổi 8 inch, sản xuất nhà máy chất nền mới, thành lập công ty mới, trợ cấp của chính phủ và các khía cạnh khác.

Trong sự phát triển của các tinh thể đơn SiC và ALN bằng phương pháp vận chuyển hơi vật lý (PVT), các thành phần quan trọng như nồi nấu kim loại, giá đỡ hạt giống và vòng hướng dẫn đóng vai trò quan trọng. Như được mô tả trong Hình 2 [1], trong quá trình PVT, tinh thể hạt được định vị ở vùng nhiệt độ thấp hơn, trong khi nguyên liệu SIC SIC tiếp xúc với nhiệt độ cao hơn (trên 2400).

Chất nền silicon có nhiều khiếm khuyết và không thể được xử lý trực tiếp. Một màng mỏng một tinh thể cụ thể cần được phát triển trên chúng thông qua một quá trình epiticular để tạo ra các tấm wafer chip. Bộ phim mỏng này là lớp epiticular. Hầu như tất cả các thiết bị cacbua silicon được thực hiện trên các vật liệu epiticular. Các vật liệu epitaxial đồng nhất silicon chất lượng cao là cơ sở cho sự phát triển của các thiết bị cacbua silicon. Hiệu suất của các vật liệu epiticular trực tiếp xác định việc thực hiện hiệu suất của các thiết bị cacbua silicon.

Silicon cacbua đang định hình lại ngành công nghiệp bán dẫn cho các ứng dụng năng lượng và nhiệt độ cao, với các đặc tính toàn diện của nó, từ chất nền epiticular đến lớp phủ bảo vệ đến xe điện và hệ thống năng lượng tái tạo.

Độ tinh khiết cao: Lớp epiticular silicon được hình thành bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD) có độ tinh khiết cực cao, độ phẳng bề mặt tốt hơn và mật độ khuyết tật thấp hơn so với các tấm wafer truyền thống.