Tin tức

Trong quá trình phát triển tinh thể cacbua silic (SiC) thông qua phương pháp Vận chuyển hơi vật lý (PVT), nhiệt độ cực cao 2000–2500 °C là “con dao hai lưỡi” — trong khi thúc đẩy quá trình thăng hoa và vận chuyển vật liệu nguồn, nó cũng tăng cường đáng kể sự giải phóng tạp chất khỏi tất cả vật liệu trong hệ thống trường nhiệt, đặc biệt là các nguyên tố kim loại vi lượng có trong các thành phần vùng nóng than chì thông thường. Một khi các tạp chất này xâm nhập vào bề mặt tăng trưởng, chúng sẽ trực tiếp làm hỏng chất lượng lõi của tinh thể. Đây là lý do cơ bản tại sao lớp phủ tantalum cacbua (TaC) đã trở thành “lựa chọn bắt buộc” thay vì “lựa chọn tùy chọn” cho sự phát triển của tinh thể PVT.

Tại Veteksemiaon, chúng tôi giải quyết những thách thức này hàng ngày, chuyên chuyển đổi Gốm sứ oxit nhôm tiên tiến thành các giải pháp đáp ứng các thông số kỹ thuật chính xác. Hiểu được phương pháp gia công và xử lý phù hợp là rất quan trọng, vì cách tiếp cận sai có thể dẫn đến lãng phí tốn kém và hư hỏng linh kiện. Hãy cùng khám phá các kỹ thuật chuyên nghiệp để biến điều này thành hiện thực.

Đưa CO₂ vào nước thái trong quá trình cắt wafer là một biện pháp quy trình hiệu quả để ngăn chặn sự tích tụ điện tích tĩnh và giảm nguy cơ ô nhiễm, từ đó cải thiện năng suất thái hạt lựu và độ tin cậy lâu dài của chip.