Tin tức

Bài báo phân tích những thách thức cụ thể mà quá trình phủ TAC TAC phải đối mặt đối với sự phát triển tinh thể đơn SIC trong quá trình xử lý chất bán dẫn, như nguồn vật liệu và kiểm soát độ tinh khiết, tối ưu hóa tham số quá trình, bám dính, bảo trì thiết bị và bảo vệ môi trường và kiểm soát chi phí, như cũng như các giải pháp công nghiệp tương ứng.

Từ góc độ ứng dụng của sự tăng trưởng tinh thể đơn SIC, bài viết này so sánh các thông số vật lý cơ bản của lớp phủ TAC và lớp phủ SIC, và giải thích các lợi thế cơ bản của lớp phủ TAC trên lớp phủ SIC về khả năng chống nhiệt độ cao, ổn định hóa học mạnh, giảm tạp chất và chi phí thấp hơn.

Có nhiều loại thiết bị đo lường trong nhà máy FAB. Thiết bị phổ biến bao gồm thiết bị đo quy trình in thạch bản, thiết bị đo quy trình khắc, thiết bị đo quy trình lắng đọng màng mỏng, thiết bị đo lường quy trình pha tạp, thiết bị đo quy trình CMP, thiết bị phát hiện hạt wafer và các thiết bị đo lường khác.

Lớp phủ cacbua tantalum (TAC) có thể kéo dài đáng kể tuổi thọ của các bộ phận than chì bằng cách cải thiện khả năng chống nhiệt độ cao, khả năng chống ăn mòn, tính chất cơ học và khả năng quản lý nhiệt. Đặc điểm độ tinh khiết cao của nó làm giảm ô nhiễm tạp chất, cải thiện chất lượng tăng trưởng tinh thể và tăng cường hiệu quả năng lượng. Nó phù hợp cho sản xuất chất bán dẫn và các ứng dụng tăng trưởng tinh thể trong môi trường nhiệt độ cao, có tính ăn mòn cao.

Lớp phủ Tantalum cacbua (TAC) được sử dụng rộng rãi trong trường bán dẫn, chủ yếu cho các thành phần lò phản ứng tăng trưởng epiticular, các thành phần khóa tăng trưởng tinh thể đơn, các thành phần công nghiệp nhiệt độ cao, hệ thống MOCVD nóng và chất dẫn điện.

Trong quá trình tăng trưởng epiticular SIC, sự cố huyền phù than chì được phủ SIC có thể xảy ra. Bài viết này tiến hành một phân tích nghiêm ngặt về hiện tượng thất bại của huyền phù than chì SIC, chủ yếu bao gồm hai yếu tố: lỗi khí epiticular sic và lỗi phủ SIC.