Các sản phẩm

Vetek CVD TaC Coated Susceptor là một giải pháp chính xác được phát triển đặc biệt để tăng trưởng epiticular MOCVD hiệu suất cao. Nó thể hiện sự ổn định nhiệt tuyệt vời và độ trơ hóa học tuyệt vời trong môi trường nhiệt độ cực cao 1600°C. Dựa vào quy trình lắng đọng CVD nghiêm ngặt của VETEK, chúng tôi cam kết cải thiện tính đồng nhất của quá trình tăng trưởng tấm bán dẫn, kéo dài tuổi thọ của các bộ phận cốt lõi và cung cấp đảm bảo hiệu suất ổn định và đáng tin cậy cho mỗi lô sản xuất chất bán dẫn của bạn.

Vòng tập trung Veteksemian Solid Silicon Carbide (SiC) là một thành phần tiêu hao quan trọng được sử dụng trong các quy trình khắc plasma và epitaxy bán dẫn tiên tiến, trong đó việc kiểm soát chính xác sự phân bố plasma, độ đồng đều nhiệt và hiệu ứng cạnh wafer là điều cần thiết. Được sản xuất từ ​​cacbua silic rắn có độ tinh khiết cao, vòng lấy nét này thể hiện khả năng chống xói mòn plasma đặc biệt, độ ổn định ở nhiệt độ cao và độ trơ hóa học, mang lại hiệu suất đáng tin cậy trong các điều kiện xử lý khắc nghiệt. Chúng tôi mong muốn yêu cầu của bạn.

Sự phát triển của tinh thể cacbua silic là một quá trình cốt lõi trong sản xuất các thiết bị bán dẫn hiệu suất cao. Độ ổn định, độ chính xác và khả năng tương thích của thiết bị tăng trưởng tinh thể quyết định trực tiếp đến chất lượng và năng suất của thỏi cacbua silic. Dựa trên các đặc tính của công nghệ Vận chuyển hơi vật lý (PVT), Veteksemi đã phát triển lò gia nhiệt điện trở để phát triển tinh thể cacbua silic, cho phép phát triển ổn định các tinh thể cacbua silic 6 inch, 8 inch và 12 inch với khả năng tương thích hoàn toàn với các hệ thống vật liệu dẫn điện, bán cách điện và loại N. Thông qua việc kiểm soát chính xác nhiệt độ, áp suất và công suất, nó làm giảm hiệu quả các khiếm khuyết về tinh thể như EPD (Mật độ Etch Pit) và BPD (Sự lệch mặt phẳng cơ bản), đồng thời có mức tiêu thụ năng lượng thấp và thiết kế nhỏ gọn để đáp ứng các tiêu chuẩn cao của sản xuất công nghiệp quy mô lớn.

Công nghệ liên kết hạt SiC là một trong những quá trình quan trọng ảnh hưởng đến sự phát triển của tinh thể. VETEK đã phát triển lò ép nóng chân không chuyên dụng để liên kết hạt dựa trên đặc điểm của quá trình này. Lò có thể giảm thiểu một cách hiệu quả các khuyết tật khác nhau được tạo ra trong quá trình liên kết hạt giống, từ đó cải thiện năng suất và chất lượng cuối cùng của thỏi tinh thể.

Buồng phản ứng epiticular được phủ Veteksemian SiC là thành phần cốt lõi được thiết kế cho các quá trình tăng trưởng epiticular bán dẫn đòi hỏi khắt khe. Bằng cách sử dụng phương pháp lắng đọng hơi hóa học tiên tiến (CVD), sản phẩm này tạo thành lớp phủ SiC dày đặc, có độ tinh khiết cao trên nền than chì có độ bền cao, mang lại độ ổn định nhiệt độ cao và khả năng chống ăn mòn vượt trội. Nó chống lại hiệu quả tác động ăn mòn của khí phản ứng trong môi trường xử lý nhiệt độ cao, ngăn chặn đáng kể ô nhiễm hạt, đảm bảo chất lượng vật liệu epiticular ổn định và năng suất cao, đồng thời kéo dài đáng kể chu kỳ bảo trì và tuổi thọ của buồng phản ứng. Đây là lựa chọn quan trọng để cải thiện hiệu quả sản xuất và độ tin cậy của chất bán dẫn dải rộng như SiC và GaN.

Thuyền Cassette Silicon của Veteksemiaon là một thiết bị mang wafer được thiết kế chính xác được phát triển đặc biệt cho các ứng dụng lò bán dẫn nhiệt độ cao, bao gồm quá trình oxy hóa, khuếch tán, truyền động và ủ. Được chế tạo từ silicon có độ tinh khiết cực cao và được hoàn thiện theo các tiêu chuẩn kiểm soát ô nhiễm tiên tiến, nó cung cấp một nền tảng trơ ​​về mặt hóa học, ổn định nhiệt, phù hợp chặt chẽ với các đặc tính của tấm bán dẫn silicon. Sự liên kết này giảm thiểu ứng suất nhiệt, giảm sự hình thành trượt và khuyết tật, đồng thời đảm bảo phân phối nhiệt đặc biệt đồng đều trong suốt mẻ