Tin tức

Tin tức

Chúng tôi rất vui được chia sẻ với bạn về kết quả công việc của chúng tôi, tin tức của công ty và cung cấp cho bạn những diễn biến kịp thời cũng như các điều kiện bổ nhiệm và sa thải nhân sự.
Giải quyết hiện tượng ố vàng cạnh lớp phủ SiC để tăng hiệu suất CVD từ 50% lên 90%05 2026-08

Giải quyết hiện tượng ố vàng cạnh lớp phủ SiC để tăng hiệu suất CVD từ 50% lên 90%

Phân tích chuyên sâu các nguyên nhân gây ra hiện tượng ố vàng và bong tróc lớp phủ silicon cacbua trên chất nhạy cảm với than chì epitaxy MOCVD. VeTek loại bỏ ứng suất vi mô bằng cách kiểm soát chính xác tốc độ lắng đọng CVD và trường dòng chảy ban đầu, tăng hiệu suất lớp phủ từ 50% lên 90% và kéo dài tuổi thọ của các bộ phận than chì có độ tinh khiết cao.
Làm thế nào để giải quyết sự biến đổi cao giữa các túi trong các thiết bị nhạy cảm với than chì Epit Wax Silicon nhiều túi?03 2026-08

Làm thế nào để giải quyết sự biến đổi cao giữa các túi trong các thiết bị nhạy cảm với than chì Epit Wax Silicon nhiều túi?

Giải quyết sự biến đổi độ dày từ túi này sang túi khác 1,4% trong các chất cảm ứng than chì epit Wax silicon nhiều túi, VeTek Semi đã cải thiện độ phẳng của chất cảm ứng xuống <0,08mm và giảm độ biến thiên xuống 0,69% thông qua mô phỏng trường dòng CVD và lớp phủ SiC siêu chính xác, tăng hiệu suất bán dẫn.
MOCVD SiC Phân tích vết nứt chất nhạy cảm với than chì phủ & Nghiên cứu điển hình tối ưu hóa ứng suất nhiệt30 2026-07

MOCVD SiC Phân tích vết nứt chất nhạy cảm với than chì phủ & Nghiên cứu điển hình tối ưu hóa ứng suất nhiệt

Tìm hiểu cách Vetek loại bỏ hiện tượng nứt xuyên tâm trong các bộ cảm biến than chì được phủ SiC MOCVD kích thước lớn. Thiết kế lại bộ đệm ứng suất kết cấu & phù hợp với CTE, tăng tuổi thọ sử dụng lên hơn 300%.
Từ 4 inch đến 8 inch: Một thập kỷ phát triển của chất bán dẫn SiC25 2026-07

Từ 4 inch đến 8 inch: Một thập kỷ phát triển của chất bán dẫn SiC

Một thập kỷ phát triển của SiC — từ những thách thức thương mại hóa 4 inch ban đầu đến quá trình chuyển đổi tấm bán dẫn 8 inch ngày nay. Khám phá cách các vật liệu phủ CVD SiC, Solid SiC và TaC hỗ trợ quá trình sản xuất chất bán dẫn đáng tin cậy.
Tại sao chất nhạy cảm với than chì được phủ SiC lại cần thiết cho Epit Wax bán dẫn17 2026-07

Tại sao chất nhạy cảm với than chì được phủ SiC lại cần thiết cho Epit Wax bán dẫn

Tìm hiểu cách các chất nhạy cảm than chì được phủ SiC CVD tăng cường sự phát triển epiticular bằng cách cải thiện tính đồng nhất nhiệt, giảm ô nhiễm và kéo dài tuổi thọ linh kiện trong sản xuất chất bán dẫn SiC, GaN, LED và silicon.
Tại sao máy sưởi than chì phủ TaC lại nổi lên như tương lai của Epit Wax GaN MOCVD10 2026-07

Tại sao máy sưởi than chì phủ TaC lại nổi lên như tương lai của Epit Wax GaN MOCVD

Khám phá cách bộ gia nhiệt than chì phủ TaC tăng cường độ đồng đều nhiệt độ, giảm mức tiêu thụ năng lượng và kéo dài tuổi thọ sử dụng trong epit Wax GaN MOCVD so với bộ gia nhiệt phủ pBN thông thường.
Lớp phủ TaC tăng cường sự phát triển tinh thể SiC trong các ứng dụng PVT như thế nào03 2026-07

Lớp phủ TaC tăng cường sự phát triển tinh thể SiC trong các ứng dụng PVT như thế nào

Khám phá cách lớp phủ CVD TaC cải thiện sự phát triển tinh thể SiC trong lò PVT bằng cách giảm ô nhiễm carbon, bảo vệ các thành phần than chì, kéo dài tuổi thọ và nâng cao chất lượng tinh thể cho sản xuất chất bán dẫn tiên tiến.
Tại sao lớp phủ TaC lại trở thành lựa chọn ưu tiên cho các thành phần than chì bán dẫn26 2026-06

Tại sao lớp phủ TaC lại trở thành lựa chọn ưu tiên cho các thành phần than chì bán dẫn

Khám phá lý do tại sao lớp phủ CVD TaC đang trở thành giải pháp bảo vệ được ưu tiên cho các thành phần than chì bán dẫn. Tìm hiểu các ưu điểm, ứng dụng của nó trong phát triển tinh thể SiC, GaN MOCVD và chất mang bán dẫn cũng như cách nó cải thiện độ bền, độ tinh khiết và độ ổn định của quy trình.
Vòng than chì được phủ bằng cacbon nhiệt phân (PyC): Cải thiện độ tin cậy trong sản xuất chất bán dẫn nhiệt độ cao17 2026-06

Vòng than chì được phủ bằng cacbon nhiệt phân (PyC): Cải thiện độ tin cậy trong sản xuất chất bán dẫn nhiệt độ cao

Tìm hiểu cách các vòng than chì được phủ VETEK Pyrolytic Carbon (PyC) cải thiện độ ổn định nhiệt, giảm ô nhiễm và kéo dài tuổi thọ linh kiện trong quá trình phát triển tinh thể SiC, epit Wax, CVD và chất bán dẫn ở nhiệt độ cao.
Tại sao CVD TaC phủ “lớp giáp nhiệt độ cao” trong chất bán dẫn thế hệ thứ ba21 2026-05

Tại sao CVD TaC phủ “lớp giáp nhiệt độ cao” trong chất bán dẫn thế hệ thứ ba

Khám phá cách lớp phủ CVD TaC cải thiện sự phát triển tinh thể SiC và sản xuất chất bán dẫn với độ ổn định nhiệt cực cao, khả năng chống ăn mòn, khử tạp chất và hiệu suất vượt trội trong các ứng dụng MOCVD và epitaxy.
Các thành phần Aixtron G10: Các bộ phận chính cho Epitaxy SiC hiệu suất cao16 2026-05

Các thành phần Aixtron G10: Các bộ phận chính cho Epitaxy SiC hiệu suất cao

Hãy xem các Thành phần Aixtron G10 chính dành cho hệ thống epit Wax SiC nhiệt độ cao. Chúng tôi đề cập đến các bộ phận than chì được phủ CVD SiC, các bộ phận phủ TaC và cấu trúc trường nhiệt – cũng như cách chúng giúp ổn định quy trình, kiểm soát độ tinh khiết và hiệu suất bán dẫn trong sản xuất chất bán dẫn tiên tiến.
Halfmoon trong Phòng phản ứng LPE là gì?09 2026-05

Halfmoon trong Phòng phản ứng LPE là gì?

Learn what a Halfmoon component is in an LPE reaction chamber and how it supports thermal stability, gas flow management, and reactor structure in SiC epitaxy systems. Khám phá vật liệu than chì, lớp phủ CVD SiC, lớp phủ TaC và công nghệ lò phản ứng bán dẫn hiện đại.
Tối ưu hóa hiệu suất MicroLED với chất nền SiC và lớp phủ nâng cao25 2026-04

Tối ưu hóa hiệu suất MicroLED với chất nền SiC và lớp phủ nâng cao

Bạn đang gặp khó khăn với tỷ lệ sản lượng MicroLED? Khám phá lý do tại sao các nhà lãnh đạo ngành đang chuyển sang chất nền SiC và các thành phần MOCVD được phủ TaC để giải quyết ứng suất nhiệt và ô nhiễm hạt. Tìm hiểu khía cạnh kỹ thuật của CVD SiC cho màn hình GaN thế hệ tiếp theo
Lớp phủ CVD SiC: Quy trình, lợi ích và ứng dụng24 2026-04

Lớp phủ CVD SiC: Quy trình, lợi ích và ứng dụng

Khám phá cách lớp phủ CVD SiC được sử dụng trong các quy trình bán dẫn, bao gồm cấu trúc, đặc tính hiệu suất và các ứng dụng điển hình cũng như mức độ liên quan của nó trong các ứng dụng nhiệt độ cao.
Tối đa hóa năng suất Fab: Tại sao CVD Solid SiC là sự lựa chọn tối ưu cho các bộ phận buồng quan trọng18 2026-04

Tối đa hóa năng suất Fab: Tại sao CVD Solid SiC là sự lựa chọn tối ưu cho các bộ phận buồng quan trọng

CVD Solid SiC có đáng để đầu tư không? So sánh ROI của lớp phủ SiC nguyên khối với lớp phủ than chì truyền thống. Tìm hiểu xem điện trở plasma vượt trội và MTBC mở rộng dẫn đến tỷ lệ phế liệu wafer thấp hơn và thời gian hoạt động của thiết bị cao hơn cho dây chuyền HVM 12 inch như thế nào.
Sự phát triển của CVD-SiC từ lớp phủ màng mỏng đến vật liệu khối10 2026-04

Sự phát triển của CVD-SiC từ lớp phủ màng mỏng đến vật liệu khối

Vật liệu có độ tinh khiết cao rất cần thiết cho sản xuất chất bán dẫn. Các quá trình này liên quan đến nhiệt độ cực cao và hóa chất ăn mòn. CVD-SiC (Cacbua silic lắng đọng hơi hóa học) mang lại độ ổn định và độ bền cần thiết. Hiện nay nó là lựa chọn hàng đầu cho các bộ phận thiết bị tiên tiến do độ tinh khiết và mật độ cao.
X
Chúng tôi sử dụng cookie để cung cấp cho bạn trải nghiệm duyệt web tốt hơn, phân tích lưu lượng truy cập trang web và cá nhân hóa nội dung. Bằng cách sử dụng trang web này, bạn đồng ý với việc chúng tôi sử dụng cookie. Chính sách bảo mật
Từ chốiChấp nhận